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空间低温溶液晶体生长的地基实验
引用本文:宋友庭,陈万春.空间低温溶液晶体生长的地基实验[J].空间科学学报,2016(4):432-437.
作者姓名:宋友庭  陈万春
作者单位:中国科学院物理研究所
基金项目:载人航天工程项目(KJ21-14);国家自然科学基金项目(51172269)共同资助
摘    要:首次使用疏水型聚四氟乙烯微孔滤膜,利用其透气不透水的特性,密封晶体生长容器,采用恒温蒸发法进行晶体生长.溶剂通过蒸发离开生长容器后,被生长容器外的吸附剂吸附,使得溶液维持一定过饱和度,以实现单晶的连续生长.在此基础上研制出一套空间低温溶液晶体生长地基模拟装置.利用此装置进行了一系列地基模拟实验,获得一批高质量α-LiIO_3单晶,证实了该生长装置的溶剂蒸发量和容器密封性能够满足空间低温溶液晶体生长需要,为未来空间低温溶液晶体生长实验奠定了基础.

关 键 词:低温溶液  空间晶体生长  碘酸锂  地基实验
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