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高LET值的获得及在SEB效应研究中的应用
引用本文:李志常,李淑媛,刘建成,郭继宇,赵葵,曹洲,杨世宇.高LET值的获得及在SEB效应研究中的应用[J].宇航学报,2004,25(4):453-458.
作者姓名:李志常  李淑媛  刘建成  郭继宇  赵葵  曹洲  杨世宇
作者单位:1. 中国原子能科学研究院核物理所,北京,102413
2. 中国航天科技集团公司五院510所,兰州,730000
摘    要:在HI 13串列加速器上,为满足单粒子效应研究对更大的线性能量转移(LET)值的要求,发展了高剥离态离子的加速与引出技术,及0°束 Q3D磁谱仪焦面辐照方法。已得到的LET值为86 7MeV/mg/cm2(45°倾斜入射,在Si中射程R~20μm),束斑在Φ10到Φ50和注量率从几十到5×104·sec-1·cm-2之间可调。论文详述了这一特殊方法成功应用于MOSFET功率管的单离子烧毁效应实验。

关 键 词:串列加速器  高剥离态  抗辐射加固  磁谱仪  烧毁效应
文章编号:1000-1328(2004)04-0453-06

Achievement of high LET values and its application in study of SEB effect
LI Zhi-chang,LI Shu-yuan,LIU Jian-cheng,GUO Ji-yu,ZHAO Kui,CAO Zhou,YAN Shi-yu.Achievement of high LET values and its application in study of SEB effect[J].Journal of Astronautics,2004,25(4):453-458.
Authors:LI Zhi-chang  LI Shu-yuan  LIU Jian-cheng  GUO Ji-yu  ZHAO Kui  CAO Zhou  YAN Shi-yu
Institution:LI Zhi-chang~1,LI Shu-yuan~1,LIU Jian-cheng~1,GUO Ji-yu~1,ZHAO Kui~1,CAO Zhou~2,YAN Shi-yu~2
Abstract:
Keywords:highly stripped charge state  Tandem accelerator  radioresistance reinforcement  magnetic spectrometer  single event burnout
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