| VDMOSFET导通电阻的最佳化设计 |
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| 引用本文： | 高雅君.VDMOSFET导通电阻的最佳化设计[J].飞机设计,2002(2):48-51. |
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| 作者姓名： | 高雅君 |
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| 作者单位： | 辽宁大学物理系,沈阳,110036 |
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| 摘 要： | 分析了VDMOSFET导通电阻模型，提出了单胞尺寸是影响导通电阻的最重要因素。单胞尺寸的最佳化选择可使器件的特征导通电阻RonA（单位面积导通电阻）最小，并通过大量理论计算给出击穿电压为50V时的最佳单胞尺寸。
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| 关 键 词： | 导通电阻 设计 VDMOSFET 特征电阻 单胞尺寸 |
| 修稿时间： | 2002年1月16日 |
OPTIMAL DESIGN OF ON-STATE RESISTANCE FOR VDMOSFET |
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| Gao Yajun.OPTIMAL DESIGN OF ON-STATE RESISTANCE FOR VDMOSFET[J].Aircraft Design,2002(2):48-51. |
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| Authors: | Gao Yajun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | special resistance vdmosfet cell dimension |
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