| SIMOX样品导电类型反型的研究 |
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| 引用本文： | 温梦全 周彬. SIMOX样品导电类型反型的研究[J]. 北京航空航天大学学报, 1996, 22(2): 214-217 |
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| 作者姓名： | 温梦全 周彬 |
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| 作者单位： | 北京航空航天大学应用数理系 |
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| 摘 要： | 氧离子注入Ｐ型（１００）单晶硅形成ＳＩＭＯＸ样品，经俄歇电子能谱、扩展电阻仪测试，形成了ＳＯＩ结构；经霍尔测试仪测试，制备的ＳＩＭＯＸ样品表层硅膜反型为Ｎ型导电类型，ＳＩＭＯＸ样品的反型是硅中的氧施主所致，由近自由电子的类氦模型计算，氧施主电离能力为０．１５ｅＶ，该值与早期文献报道的实验值一致。
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| 关 键 词： | 离子注入 硅 P型 半导体 N型 施主 |
STUDY OF OVERCOMPENSATION EFFECT FOR SIMOX SAMPLE |
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| Wen Mengquan, Zhou Bin. STUDY OF OVERCOMPENSATION EFFECT FOR SIMOX SAMPLE[J]. Journal of Beijing University of Aeronautics and Astronautics, 1996, 22(2): 214-217 |
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| Authors: | Wen Mengquan Zhou Bin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ion implantation silicon insulators P-type semiconductors N-type semiconductors donors ionization energy |
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