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| SIMOX样品导电类型反型的研究 | |
| 引用本文： | 温梦全,周彬.SIMOX样品导电类型反型的研究[J].北京航空航天大学学报,1996,22(2):214-217. |
| 作者姓名： | 温梦全 周彬 |
| 作者单位： | 北京航空航天大学应用数理系 |
| 摘 要： | 氧离子注入Ｐ型（１００）单晶硅形成ＳＩＭＯＸ样品，经俄歇电子能谱、扩展电阻仪测试，形成了ＳＯＩ结构；经霍尔测试仪测试，制备的ＳＩＭＯＸ样品表层硅膜反型为Ｎ型导电类型，ＳＩＭＯＸ样品的反型是硅中的氧施主所致，由近自由电子的类氦模型计算，氧施主电离能力为０．１５ｅＶ，该值与早期文献报道的实验值一致。 |
| 关 键 词： | 离子注入 硅 P型 半导体 N型 施主 |
STUDY OF OVERCOMPENSATION EFFECT FOR SIMOX SAMPLE |
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| Wen Mengquan, Zhou Bin.STUDY OF OVERCOMPENSATION EFFECT FOR SIMOX SAMPLE[J].Journal of Beijing University of Aeronautics and Astronautics,1996,22(2):214-217. | |
| Authors: | Wen Mengquan Zhou Bin |
| Abstract: | |
| Keywords: | ion implantation silicon insulators P-type semiconductors N-type semiconductors donors ionization energy |
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