离子注入铜薄一的氧化行为 |
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引用本文: | 王晓震,王二敏.离子注入铜薄一的氧化行为[J].航空材料学报,1999,19(4):22-26. |
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作者姓名: | 王晓震 王二敏 |
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作者单位: | 北京航空材料研究院 |
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摘 要: | 为克服铜易氧化造成薄膜电阻增加、机械性能下降的缺点,采用离子注入技术对铜薄膜表面进行改性研究。离子注入后进行了氧化试验,并结合X射线衍射和卢瑟福背散射进行了分析。结果表明,离子注入对原有薄膜的电阻影响是很小的;随注入剂量的增大,抗氧化能力提离;离子注入不但改善了铜薄膜的抗氧化能力,而且氧化行为及氧化层的结构也发生了变化,未经注入的铜薄膜形成的氧化铜以Cu2O为主,注入后氧化铜则为Cu2O和CuO复
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关 键 词: | 离子注入 氧化 铜 薄膜 |
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