| VO2薄膜制备工艺及电阻开关特性研究 |
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| 引用本文： | 邱家稳 赵印中 等. VO2薄膜制备工艺及电阻开关特性研究[J]. 中国空间科学技术, 2001, 21(6): 62-67 |
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| 作者姓名： | 邱家稳 赵印中 等 |
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| 作者单位： | 兰州物理研究所 兰州730000(许旻，邱家稳，赵印中，王洁冰，何延春)，兰州物理研究所 兰州730000(李强勇) |
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| 摘 要： | 用溶胶－凝胶法在非晶玻璃上制备VO2薄膜，经过熔融、涂膜、烘干和热处理等工艺最后得到电阻相变2－3个量级的VO2薄膜。对烘干温度、熔融温度、膜厚和热处理温度对薄膜电阻开关特性的影响进行了研究。通过XRD（X－ray diffraction)和XPS（X－ray photoelectron spectroscopy）对薄膜的结构和价态进行分析，表明用溶胶－凝胶法制图VO2膜工艺简单，重复性好。
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| 关 键 词： | 二氧化钒 VO2薄膜材料 制备工艺 电阻开关特性 影响因素 溶胶－凝胶法 |
Vanadium Dioxide Films Technique and Electrical Switching Property |
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| Xu Min Qiu Jiawen Zhao Yinzhong Wang Jiebing He Yanchun Li Qiangyong. Vanadium Dioxide Films Technique and Electrical Switching Property[J]. Chinese Space Science and Technology, 2001, 21(6): 62-67 |
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| Authors: | Xu Min Qiu Jiawen Zhao Yinzhong Wang Jiebing He Yanchun Li Qiangyong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Film Sample preparation Electronic switch Performance analysis |
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