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VO2薄膜制备工艺及电阻开关特性研究
引用本文:邱家稳,赵印中,等.VO2薄膜制备工艺及电阻开关特性研究[J].中国空间科学技术,2001,21(6):62-67.
作者姓名:邱家稳  赵印中
作者单位:兰州物理研究所 兰州730000 (许旻,邱家稳,赵印中,王洁冰,何延春),兰州物理研究所 兰州730000(李强勇)
摘    要:用溶胶-凝胶法在非晶玻璃上制备VO2薄膜,经过熔融、涂膜、烘干和热处理等工艺最后得到电阻相变2-3个量级的VO2薄膜。对烘干温度、熔融温度、膜厚和热处理温度对薄膜电阻开关特性的影响进行了研究。通过XRD(X-ray diffraction)和XPS(X-ray photoelectron spectroscopy)对薄膜的结构和价态进行分析,表明用溶胶-凝胶法制图VO2膜工艺简单,重复性好。

关 键 词:二氧化钒  VO2薄膜材料  制备工艺  电阻开关特性  影响因素  溶胶-凝胶法

Vanadium Dioxide Films Technique and Electrical Switching Property
Xu Min,Qiu Jiawen,Zhao Yinzhong,Wang Jiebing,He Yanchun,Li Qiangyong.Vanadium Dioxide Films Technique and Electrical Switching Property[J].Chinese Space Science and Technology,2001,21(6):62-67.
Authors:Xu Min  Qiu Jiawen  Zhao Yinzhong  Wang Jiebing  He Yanchun  Li Qiangyong
Abstract:
Keywords:Film  Sample preparation  Electronic switch  Performance analysis
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