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| 酸铌锂单晶的极化工艺对晶体性能的影响 | |
| 引用本文： | 杨国本.酸铌锂单晶的极化工艺对晶体性能的影响[J].航天制造技术,1992(4):22-26. |
| 作者姓名： | 杨国本 |
| 作者单位： | 长沙磁性材料厂 |
| 摘 要： | 电视机中频滤波器国产化用铌酸锂声表面波单晶(L·N)生长的极化工艺,直接影响到晶体的极化程度,晶体的极化程度直接影响到机电耦合系数k及介电常数ε_(33)最后影响到滤波器的出管率。经对极化电场、极化温度、升(降)温速率、极化时间诸因素的优选,选定高温极化工艺,其主要工艺参数为:极化温度1180～1200℃;直流电场8～10mA/cm~2;保温时间0.5h;升(降)温速率:升温↑1180℃(速率100℃/h);降温↓～900℃(速率50℃/h);降温↓～600℃(速率100℃/h)。 |
| 关 键 词： | 畴致功能器件 晶体滤波器 ~+铌酸锂单晶 极化 |
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