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低电阻率SiC纤维先驱体聚碳硅烷的制备与表征
引用本文:王娟%宋永才.低电阻率SiC纤维先驱体聚碳硅烷的制备与表征[J].宇航材料工艺,2003,33(2):34-38.
作者姓名:王娟%宋永才
作者单位:国防科学技术大学航天与材料工程学院,长沙,410073
基金项目:863新材料领域资助项目:715-011-016
摘    要:由聚二甲基硅烷(PDMS)与3%-7%(质量分数)聚氯乙烯(PVC)共热解反应生成的聚碳硅烷(PC—P),是制备力学性能优良的低电阻率SiC纤维的先驱体。研究了PC-P先驱体的合成条件,利用GPC、IR、XPS、元素分析等手段对PC—P的组成与结构进行了分析。结果表明,PC—P先驱体的最佳合成条件为450℃保温6h-8h,熔点为180℃—230℃,数均分子量为1350-1800,分子量分散系数为2.0左右;PC—P含有Si、C、H、O元素,其C含量高于由PDMS制备的先驱体PCS,而Si含量低于PCS;结构与PCS相似,但Si-H键含量低于PCS中Si-H键含量。

关 键 词:聚碳硅烷  聚氯乙烯  聚二甲基硅烷  制备  共热解反应  先驱体  电阻率  SiC纤维  力学性能

Preparation and Characterization of Polycarbosilane Precursor for SiC Fiber with Low Specific Resistance
Wang Juan Song Yongcai.Preparation and Characterization of Polycarbosilane Precursor for SiC Fiber with Low Specific Resistance[J].Aerospace Materials & Technology,2003,33(2):34-38.
Authors:Wang Juan Song Yongcai
Abstract:
Keywords:SiC fiber  Polycarbosilane  Polyvinychloride  Low specific resistane
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