| X/Ku波段宽带GaN微波固态功放技术研究 |
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| 引用本文： | 於昭,司国梁,吴迪,葛爱慧.X/Ku波段宽带GaN微波固态功放技术研究[J].航天电子对抗,2017,33(2). |
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| 作者姓名： | 於昭 司国梁 吴迪 葛爱慧 |
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| 作者单位： | 中国航天科工集团8511研究所,江苏南京,210007 |
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| 摘 要： | GaN作为新一代半导体材料具有宽禁带、高击穿场强、高饱和电子漂移速率以及抗辐射能力强等优点成为近几年来的研究热点,随着GaN功率管性能的不断提高,以GaN为基础的微波功率器件的应用取得了很大的进步.根据电子对抗领域微波固态功放的特点,设计一款基于GaN功率器件的X/Ku波段20W宽带固态功放,并给出了测试结果.
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| 关 键 词： | 电子对抗领域 微波固态功放 GaN功率器件 |
The technical research of X/Ku band broadband GaN microwave solid-state power amplifier |
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| Yu Zhao,Si Guoliang,Wu Di,Ge Aihui.The technical research of X/Ku band broadband GaN microwave solid-state power amplifier[J].Aerospace Electronic Warfare,2017,33(2). |
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| Authors: | Yu Zhao Si Guoliang Wu Di Ge Aihui |
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