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| 硅液相外延的线,点生长 | |
| 引用本文： | 江鉴,张仕国.硅液相外延的线,点生长[J].上海航天,1998,15(4):62-64. |
| 作者姓名： | 江鉴 张仕国 |
| 作者单位： | 航天工业总公司八院８０９所(江鉴)，浙江大学硅材料科学国家重点实验室(张仕国) |
| 摘 要： | 研究了硅液相外延层的表面形貌与衬底的初始状态的关系。实验结果表明，在采用有线性划痕的衬底时，可以在硅（１１１）面实现与三维集成技术中横向生长不同的线外延生长；而用表面形貌较好但有微缺陷的衬底时，适当控制液相外延生长过程，则可以在硅（１１１）面可以实现单晶点外延生长。 |
| 关 键 词： | 薄膜工艺 液相外延 表面形貌 线生长 点生长 |
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