硅液相外延的线,点生长 |
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引用本文: | 江鉴,张仕国.硅液相外延的线,点生长[J].上海航天,1998,15(4):62-64. |
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作者姓名: | 江鉴 张仕国 |
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作者单位: | 航天工业总公司八院809所(江鉴),浙江大学硅材料科学国家重点实验室(张仕国) |
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摘 要: | 研究了硅液相外延层的表面形貌与衬底的初始状态的关系。实验结果表明,在采用有线性划痕的衬底时,可以在硅(111)面实现与三维集成技术中横向生长不同的线外延生长;而用表面形貌较好但有微缺陷的衬底时,适当控制液相外延生长过程,则可以在硅(111)面可以实现单晶点外延生长。
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关 键 词: | 薄膜工艺 液相外延 表面形貌 线生长 点生长 |
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