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| 砷化镓功率场效应管早期烧毁的失效分析 | |
| 引用本文： | 杨得全,袁泽亮,叶青山,范垂祯.砷化镓功率场效应管早期烧毁的失效分析[J].中国空间科学技术,1994(1). |
| 作者姓名： | 杨得全 袁泽亮 叶青山 范垂祯 |
| 作者单位： | 兰州物理研究所 |
| 摘 要： | 采用扫描俄歇微探针、扫描电子显微镜、电子探针微区分析仪和Ｘ射线透射仪等多种分析手段分析了一种Ｃ波段砷化镓功率场效应管早期烧毁失效的现象。初步建立了烧毁失效的模式，给出了相应的失效频数分布及其表面形貌状态。分析结果指出，烧毁失效模式中源一漏烧毁占较大的比例；其次是由于材料及器件制备工艺过程不完善而引起的空气桥烧毁，热斑烧毁，源或漏极条边缘毛刺、芯片表面缺陷、沾污和不可动多余物引起的烧毁失效。文章就烧毁失效的机理进行了分析和讨论。 |
| 关 键 词： | 砷化镓，场效应晶体管，烧毁，失效机理，分析。 |
BURNOUT CHARACTERISTICS OF MICROWAVE GaAs POWER FET |
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| Yang Dequan,Yuan Zeliang,Ye Qingshan,Fan Chuizhen.BURNOUT CHARACTERISTICS OF MICROWAVE GaAs POWER FET[J].Chinese Space Science and Technology,1994(1). | |
| Authors: | Yang Dequan Yuan Zeliang Ye Qingshan Fan Chuizhen |
| Abstract: | |
| Keywords: | Gallium arsenide Field effect transistor Burnthrough Failure mechanism Analyzing |
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