|
|||||
|
|
| 军用电路芯片技术 | |
| 引用本文： | Geis.,S.,闻亦真.军用电路芯片技术[J].上海航天,1989(4):53-55. |
| 作者姓名： | Geis. S. 闻亦真 |
| 作者单位： | 不详 |
| 摘 要： | 自从1958年两名美国科学家首先研制成单片电路以来,平均每两年半就要推出新的DRAM(动态随机存取存储器),每一代新芯片的容量是前一代的4倍.同时价格亦随着经验的丰富和产量的增加而不断降低.单片电路迅速发展的动力是军事需要和航天活动,其结果导致了许多新型武器及系统,如精密制导导弹;有效的电子战设备;侦察卫星;机载电子设备;计算机化通信设备;电光器件;制导炮弹等.但在许多应用中,暴露了这种硅片电路的局限性,如硅片对温度很敏感,需要散热;对离子辐射也很敏感,为此需要有电磁脉冲屏蔽.但最主要的 |
| 关 键 词： | 单片集成电路 芯片 军用 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |