ITO界面修饰对量子点发光二极管性能影响研究

对量子点发光二极管(QLED)的阳极氧化铟锡(ITO)进行修饰可有效提高器件的性能,分别利用UV光照法和UV光照溶液法对QLED的阳极ITO进行修饰,研究了阳极修饰对降低注入势垒,提高载流子空穴的注入效率的作用。实验结果表明:与UV光照法相比,UV光照溶液法可更有效调节电荷注入势垒,使电子空穴注入更加平衡。在过氧化氢和邻二氯苯的体积掺杂比例为1∶5,UV光照时间为15 min时,器件最高外量子效率达11.97%、最高发光效率达3.54 cd/A和最高亮度达14 194 cd/m2。