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IC制造中平坦化技术的性能与分析
引用本文:李庆忠,于秀坤,苏建修.IC制造中平坦化技术的性能与分析[J].沈阳航空工业学院学报,2006,23(1):27-31.
作者姓名:李庆忠  于秀坤  苏建修
作者单位:1. 沈阳航空工业学院,辽宁,沈阳,110034;大连理工大学现代制造技术教育部重点实验室,辽宁,大连,116024
2. 沈阳航空工业学院,辽宁,沈阳,110034
3. 大连理工大学现代制造技术教育部重点实验室,辽宁,大连,116024
摘    要:表面平整化技术是半导体工业的关键技术,在一定程度上制约着半导体芯片集成技术的发展,针对多层立体布线的IC全局平坦化技术,介绍了代表当今平整化技术及其未来的发展方向,其中一些技术会取代传统的CMP技术而成为IC产业的主导技术之一;叙述了超大规模集成电路(ULSI)的发展对全局平整化的具体要求;对传统的CMP技术的特点进行了分析;并论述了当今主流的IC平整化技术的原理、性能以及未来的发展方向。

关 键 词:硅片  化学机械抛光  平坦化  集成电路
文章编号:1007-1385(2006)01-0027-04
修稿时间:2005年11月24

Performance and analysis of the planarization technology in IC manufacture
LI Qing-zhong,YU Xiu-kun,SU Jian-xiu.Performance and analysis of the planarization technology in IC manufacture[J].Journal of Shenyang Institute of Aeronautical Engineering,2006,23(1):27-31.
Authors:LI Qing-zhong  YU Xiu-kun  SU Jian-xiu
Abstract:
Keywords:chip  chemical mechanical polishing  planarization  IC
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