化学气相沉积法制备氮化硼界面涂层的研究进展 |
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引用本文: | 李琳琳,李爱军,彭雨晴,李照谦,汤哲鹏.化学气相沉积法制备氮化硼界面涂层的研究进展[J].宇航材料工艺,2016,46(4). |
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作者姓名: | 李琳琳 李爱军 彭雨晴 李照谦 汤哲鹏 |
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作者单位: | 上海大学材料复合及先进分散技术教育部工程中心,上海 200072 |
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摘 要: | 阐述了BN界面的优异性能和CVD制备工艺的优缺点,主要介绍了CVD-BN制备过程中沉积温度、源气体比例、热处理温度等各因素的影响,指出CVD法是制备高品质BN界面涂层的优选方法。优化CVD工艺,对其制备原理进行深入研究,将是BN界面涂层研究的重点,获得特定结构、性能稳定、厚度可控的BN界面相涂层是CVD法制备BN界面相涂层的难点。
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关 键 词: | 界面相涂层,氮化硼,化学气相沉积,三氯化硼,氨气 |
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