用于低温的锗薄膜温度计的特性 |
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引用本文: | M. Seki K. Sanokawa,陈鸿彦.用于低温的锗薄膜温度计的特性[J].宇航计测技术,1984(6). |
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作者姓名: | M. Seki K. Sanokawa 陈鸿彦 |
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摘 要: | 用来当作电阻温度计的锗薄膜业已在液氦温度下做过试验。锗在真空下被沉积在绝缘的基片上,然后把银沉积在锗薄膜上作为欧姆接触,籍助于选择适当的沉积条件,就能容易地制造出具有所需要的电阻和合适的灵敏度的温度计。这些温度计具有快速响应时间,并能用于测量快速变化的表面温度。
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