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| 负电子亲和半导体的二次电子发射 | |
| 作者姓名： | 刘亦凡 谢爱根 董洪杰 |
| 作者单位： | 南京信息工程大学 物理与光电工程学院 ，南京 210044 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(编号：11704194 ；11873013) |
| 摘 要： | 根据0.8keV≤Epomax≤5keV的负电子亲和(negative electron affinity,NEA)半导体二次电子发射(secondary electron emission,SEE)的特性，初级电子产额R，现有的次级电子产额δ的通用公式和实验数据，分别推导并实验证明了NEA金刚石的δ在0.5Epomax≤Epo≤10Epomax, GaN在2keV≤Epomax≤5keV, NEA金刚石的δ在08keV≤Epo≤3keV, GaN在08keV≤Epomax≤2keV的特殊公式;其中Epomax为δ达到最大值时的Epo, Epo为初级电子入射能。推导出了08keV≤Epomax≤5keV时NEA半导体的内部二次电子到达发射极表面后逃逸到真空中的概率B。还提出了计算08keV≤Epomax≤5keV NEA半导体1/α的方法;其中1/α为二次电子的平均逃逸深度。分析结果表明，B和1/α的理论研究有助于研究不同样品制备方法对NEA半导体中SEE的定量影响，从而生产出理想的NEA发射体，如NEA金刚石。 |
| 关 键 词： | 负电子亲和力 二次电子产额 概率 二次电子的平均逃逸深度 半导体 |
Secondary electron emission from negative electron affinity semiconductors |
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| Authors: | LIU Yifan XIE Aigen DONG Hongjie |
| Institution: | School of Physics and Optoelectronic Engineering, Nanjing University of Information Science and Technology, Nanjing 210044, China |
| Abstract: | |
| Keywords: | negative electron affinity secondary electron yield the probability mean escape depth of secondary electrons semiconductor |
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