多层薄膜的二次电子发射蒙特卡罗模拟研究 |
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作者姓名: | 彭敏 程文杰 曹猛 |
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作者单位: | 西安交通大学 电子与信息学部 电子物理与器件教育部重点实验室,西安 710049 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(编号:61971342,62101434) |
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摘 要: | 为了深入研究多层薄膜材料中二次电子发射这一影响部件微放电效应的重要物理过程,基于金属表面多代二次电子发射蒙特卡罗模型,建立了多层薄膜二次电子发射蒙特卡罗模型,并构建了多层薄膜的平面和矩形沟槽这两种表面结构。通过对这两种表面的多层薄膜二次电子发射系数进行蒙特卡罗模拟,并对不同薄膜厚度的二次电子发射系数模拟结果进行分析,验证了多层薄膜抑制二次电子产额的实验效果,并得出抑制效果与多层薄膜厚度和表面结构有关的结论。
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关 键 词: | 二次电子发射 多层薄膜 蒙特卡罗模拟 |
The study on Monte Carlo simulation of secondary
electron emission for multilayer thin films |
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Authors: | PENG Min CHENG Wenjie CAO Meng |
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Abstract: | |
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Keywords: | |
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