SiC热防护涂层制备工艺研究

基于热力学理论分析和化学气相沉积工艺特点,设计了CVD-SiC工艺流程,进而在石墨基体上制备了SiC涂层。对涂层进行了SEM及XRD分析,考察了反应温度和体系压力对涂层形貌和结构的影响。研究表明,较低的体系压力有利于在较低的温度下制备高纯度的SiC涂层,在优化工艺条件下(n(H2)/n(MTS)=10,p=10kPa,t=1100℃)制备的SiC涂层结构致密,表面呈球形颗粒状,沿(111)面择优取向生长。