| 适用于全方位离子注入过程的脉冲调制器上升沿参数设计的研究 |
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| 引用本文： | 汤宝寅,甘孔银,于永澔,王浪平,王小峰,刘洪喜,王松雁.适用于全方位离子注入过程的脉冲调制器上升沿参数设计的研究[J].航空制造技术,2004(Z1):259-265. |
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| 作者姓名： | 汤宝寅 甘孔银 于永澔 王浪平 王小峰 刘洪喜 王松雁 |
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| 作者单位： | 哈尔滨工业大学,焊接生产技术国家重点实验室 |
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| 摘 要： | 本课题建立了两种物理模型来描述理想脉冲情况下等离子体中的电子运动,并建立了电子运动方程.在无限长平面靶情况下首次得到了电子运动方程的解析解,提出了理想上升沿判据.通过对保形全方位离子注入的处理工艺参数的研究,获得了各个工艺参数之间的定标关系.研究结果表明,在相同的注入脉冲宽度情况下,增加等离子体密度和离子质量都能够获得更均匀的注入分布.注入波形的上升沿对注入离子能量分布造成的影响完全可以通过提高等离子体的密度和改变离子质量来消除.因此在设计调制器时追求过陡的上升沿意义不大,从技术难度和成本效益比上看,上升沿在1～2μs之间即可满足全方位离子注入过程对电源的要求.
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| 关 键 词： | 保形全方位离子注入 高压脉冲调制器上升沿 |
The Study on the Rise Time Parameter Design of the Pulse Modulator Suitable for the Omni-Directional Ion Implantation Process |
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