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1.
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3.
本文简介一个增益为55dB,瞬时带宽2GHz,带内平坦度优于3dB,噪声系数小于5dB,三阶截止点高于14dBm的晶体管放大器研制过程。该放大器已用于机载杂波干扰机中作为信道化接收机前端,性能良好可靠。  相似文献   
4.
研制成一种C波段5W GaAs FET(砷化镓场效应晶体管)四级功率放大器。该放大器工作频段为3.7~4.2 GHz,1分贝点带宽约300 MHz;在中心频率处,饱和输出功率为4.67W,增益大于26dB,总效率约14%。本文还介绍了利用浅漏偏置条件下的小信号S参数代替大信号S参数设计匹配电路的情况。  相似文献   
5.
一、概述 空管雷达是ATM(空中交通管理)系统监视空中飞行情况的重要信息源之一,是确保飞行安全、实现雷达管制和提高空域容量的基础。随着雷达技术的进步和微电子技术的快速发展,空管雷达的技术水平也得到了巨大发展。尤其是进入20世纪90年代以来,随着射频大功率晶体管器件的成熟与商品化,空管雷达进入了全固态时代,国际上出现大量全固态、可无人值守的空管雷达。全固态空管雷达大量采用集成化、微电子化的设备,从而在系统可靠性、稳定性、自动化和商品化水平上有很大提高,使空管雷达发展到一个更为实用的阶段。  相似文献   
6.
本文介绍一种设计方法简单、调试方便、性能优良的x波段宽频带低噪声场效应晶体管放大器的设计研制过程。该放大器采用常用的单端式放大器方案,并通过一些调试技巧,使之达到令人满意的结果。其性能指标:频率范围8~12GHz;工作带宽大于2GHz,噪声系数小于3dB,功率增益大于30dB;带内平坦度优于1dB。体积175×48×30mm~2;重量400g。  相似文献   
7.
简述了微波晶体管S参数自动测试的必要性和迫切性。重点阐述了提高测试精确度的原理,以及实现自动测试的几个关键问题和程序流程图。最后介绍了测试结果及误差分析。  相似文献   
8.
在平面工艺制造的功率型半导体晶体管芯片表面,发现高强度电场条件下存在跨越0.05 mm半绝缘硅带的铝迁移现象,对此开展了一系列实验研究. 通过开帽物理观察与分析、低温测试与烘干验证、迁移物质分析对比,确定了迁移现象中的迁移物质,同时分别取证环境温度、湿度、芯片表面污染物以及器件局部结构与此迁移现象的关联性,以此提出了迁移机理假说,为在不同的诱发条件下对此迁移机理进行确认和量化研究提供指导.   相似文献   
9.
晶体管老化筛选设备是对大功率、小功率三极管(NPN、PNP型)、二极管等电子元器件进行老化筛选的计量装置。通过对被筛选的晶体管施加电压、电流等影响量来对晶体管的可靠性进行检查。介绍了老化筛选装置输出的基极电压、集电极电压、集电极电流等参数的校准方法以及对同一个参数采用不同校准方法的比较研究。  相似文献   
10.
在大功率磁悬挂系统中,电磁铁电流必须采用开关频率较高的大功率斩波器来调节。本文介绍一个用于磁悬挂系统的大功率晶体管斩波器,它的工作电源电压为200V,输出电流为60A,斩波频率为2kHz,试验负载从阻性到感性,电感量达2.5H。该斩波器在一个单自由度大功率磁悬浮试验装置中完成了磁悬挂控制试验。该斩波器由不对称半桥、开关辅助网络、最优基极驱动电路UAA4002、一次脉冲源MC34060及电流反馈环等部分构成,具有多种保护功能和良好的传输特性线性度。  相似文献   
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