C波段5瓦GaAs场效应晶体管功率放大器

研制成一种C波段5W GaAs FET(砷化镓场效应晶体管)四级功率放大器。该放大器工作频段为3.7～4.2 GHz,1分贝点带宽约300 MHz;在中心频率处,饱和输出功率为4.67W,增益大于26dB,总效率约14％。本文还介绍了利用浅漏偏置条件下的小信号S参数代替大信号S参数设计匹配电路的情况。     

X波段宽带低噪声场效应管放大器

本文介绍一种设计方法简单、调试方便、性能优良的x波段宽频带低噪声场效应晶体管放大器的设计研制过程。该放大器采用常用的单端式放大器方案,并通过一些调试技巧,使之达到令人满意的结果。其性能指标:频率范围8～12GHz;工作带宽大于2GHz,噪声系数小于3dB,功率增益大于30dB;带内平坦度优于1dB。体积175×48×30mm~2;重量400g。     

中科院物理所研制原位透射电镜测量仪器

最近，中国科学院物理研究，彤北京凝聚态物理国家实验室SF1组研制出的原位透射电镜测量装置，实现了纳米管／纳米线场效应晶体管器件单元在透射电镜中的原位表征。在确定器件材料结构的同时，原位测量电输运性质。     

C 波段全场效应晶体管化宽带微波接收机

介绍一个全场效应晶体管化 C 波段卫星转发器用微波接收机的方案,并给出微波通道部分的实验结果,其中采用元器件均以国内1986年生产,现空间仍在用的高可靠性器件为设计依据和实验样管。实验结果与法国汤姆逊公司1986年为我国研制生产的 C 波段接收机(以下简称法国接收机)相比,电气指标均能达到该公司产品水平,同时具有结构简单、体积小、低功耗等优点。该方案同样适于 Ku波段应用。     

砷化镓功率场效应管早期烧毁的失效分析

采用扫描俄歇微探针、扫描电子显微镜、电子探针微区分析仪和Ｘ射线透射仪等多种分析手段分析了一种Ｃ波段砷化镓功率场效应管早期烧毁失效的现象。初步建立了烧毁失效的模式,给出了相应的失效频数分布及其表面形貌状态。分析结果指出,烧毁失效模式中源一漏烧毁占较大的比例;其次是由于材料及器件制备工艺过程不完善而引起的空气桥烧毁,热斑烧毁,源或漏极条边缘毛刺、芯片表面缺陷、沾污和不可动多余物引起的烧毁失效。文章就烧毁失效的机理进行了分析和讨论。     

Ku波段25W场效应固态放大器

报导了研制的Ku波段25W固态放大器,高增益级和线性级用模快结构,功分/合成桥采用矩形腔四路同相功分/合成器。阐述了该固态放大器的组成、设计及实验结果。研制的25W固放主要性能为;中心频率11.93GHz,带宽100MHz,输出功率25W,饱和增益56dB,带内增益波动小于0.7dB。该固放已用于Ku波段双路转发器联试实验中。     

宽带有源巴伦的仿真设计

文章重点研究基于分立PHEMT器件和HMIC工艺的有源巴伦,该成果可以进一步用于MMIC的设计。在1～2 GHz频率范围内,通过ADS软件对该有源巴伦进行仿真设计,其幅度差在0.17 dB之内,相位差在0.9°之内。利用AutoCAD软件生成PCB版图,采用Rogers4003基片加工。测试结果与仿真比较一致。