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提出在2D C/SiC复合材料基体中掺杂难熔金属化合物ZrB2,TaC,ZrC,制备了2D C/SiC-ZrB2,2D C/SiC-ZrC和2D C/SiC-TaC新型复合材料,考察了难熔金属化合物的引入对材料力学性能、抗氧化性能和微观结构的影响.结果表明,ZrB2和TaC的引入,能明显提高2DC/SiC复合材料的抗氧化性能;ZrC的引入对2D C/SiC复合材料的抗氧化性能极其不利.这归结于高温下ZrB2和TaC有助于在复合材料表层氧化形成ZrO2,B2O3和Ta2O5保护膜,阻止了材料内部的进一步氧化,从而提高了复合材料的抗氧化性能. 相似文献
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所俊%郑文伟%肖加余%陈朝辉 《宇航材料工艺》2000,30(2):29-32
主要研究了先驱体转化法制备碳纤维三维编织物增强陶瓷基复合材料的浸渍工艺条件,探讨了不同温度,压力对PCS/DVB溶液法和PCS熔融法浸渍效率的影响,优化出最佳浸渍工艺参数。结果表明,温度对PCS/DVB溶液粘度影响较大,升高温度可急剧降低PCS/DVB溶液的粘度,有利于浸渍。PCS/DVB溶液法浸渍的最佳工艺参数为:50-60度,2MPa,PCS熔融法浸渍的最佳工艺参数为:300度,2MPa,采用PCS/DVB溶液法浸渍时的浸渍效率优于PCS熔融法,经四个浸渍裂解周期后溶液法制备的材料密度(1.53g/cm3-1.61g/cm3)明显优于先驱体熔融法(1.43g/cm3-1.52g/cm3) 相似文献
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王浩%李效东%彭平%冯春祥%王应德 《宇航材料工艺》2001,31(3):4-9,14
在SiC陶瓷纤维整个制备工艺过程中,影响因素繁多而且交叉作用,每个因素的变化都对SiC纤维的力学性能产生很大影响。本文以先驱体转化法为例,针对SiC陶瓷纤维整个制备工艺过程中的四个阶段,综述了各个因素对SiC陶瓷纤维最终力学性能的影响。 相似文献
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王亦菲%赵鹏%宋永才%冯春祥 《宇航材料工艺》2001,31(2):24-27
以聚硅烷(PS)、聚氯乙烯(PVC)和钛酸四丁酯[Ti(OBu)4]合成含碳量不同的聚钛碳硅烷(PIC)先驱体,运用IR、GPS、VPO、TG等分析手段系统地研究了富碳PTC先驱体的合成及其组成结构,讨论了加入PCV含量不同对PTC合成及其结构、性能的影响。经熔融纺丝、不熔化处理、高温烧成制备出具有较好工艺性能和电阻率为10^0Ω.cm-10^3Ω.cm的富碳含钛碳化硅纤维(Si-Ti-C-O纤维)。 相似文献
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针对短时高温抗氧化的具体环境,采用先驱体转化工艺制备2D Cf/SiC-Si复合材料.首先考察首周期裂解温度对2D Cf/SiC-Si材料力学性能的影响,结果表明,首周期采用1200℃裂解,所制备的2D Cf/SiC-Si复合材料界面结合较好,弯曲强度和断裂韧性分别达到305.4MPa和15.7 MPa·m1/2.在此基础上研究了Si粉含量对材料性能的影响.结果表明,随着Si含量的增加,2D Cf/SiC-Si材料的力学性能稍有降低,而抗氧化性能明显提高,主要原因在于材料中游离碳含量的降低和Si氧化后生成的具有封填裂纹和隔氧作用的SiO2膜. 相似文献
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陈曼华%陈朝辉%肖安 《宇航材料工艺》2005,35(3):28-30
以不同纯度的氮气为保护性气氛,采用差热法和红外光谱法研究微量氧对聚碳硅烷裂解的影响,并讨论了在有微量氧的气氛下,不同裂解条件对陶瓷产率的影响。结果表明,氧可以与聚碳硅烷起氧化反应,形成含氧基团,使裂解产物增重。合理地控制气氛流量、升温速率、试样量等裂解工艺条件,可有效地抑制氧对聚碳硅烷裂解的影响。当升温速率为30℃/min、氮气流量为80mL/min时,气氛中微量氧的氧化程度降至最低,试样的陶瓷产率接近于实际值。 相似文献
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采用CVI结合SI及PIP工艺制备2D C/SiC-ZrB2复合材料.研究了PIP工艺中循环浸渍次数及热处理对复合材料结构和力学性能的影响.比较了多孔C/SiC浸渍浆料后用PIP结合CVI致密化和仅用CVI致密化的效果.结果表明:浸渍裂解后,热处理温度相同,热处理次数对复合材料的开孔率和弯曲强度影响不大.2D C/SiC-ZrB2复合材料的弯曲强度不随PIP次数的增多而增加,PIP处理二次后,复合材料的强度逐渐增加,PIP处理五次,强度达到最大值,制备的复合材料开孔率为8.0%、弯曲强度为423 MPa.SI后用PIP结合CVI致密化比仅用CVI致密化效果好. 相似文献