CVD-Si3N4陶瓷及其复合材料氧化行为研究进展

概述了CVD—Si3N4陶瓷及其复合材料在干燥氧气下的氧化行为。Si3N4陶瓷在高温下氧化时，除生成SiO2保护膜外，还生成一薄层比SiO2膜更优异的氧气扩散阻挡层(Si—O—N化合物层)，该层具有优异的抗氧化性能。介绍了两种氧化机制模型，同时分析了温度、杂质等对CVD—Si3N4陶瓷氧化行为的影响。     

Fe3Si基合金降低温轧温度的研究

研究了不同轧制工艺和热处理工艺对Fe3Si基合金塑性的影响,室温拉伸和高温拉伸实验结果表明,水冷的热处理工艺使Fe3Si基合金的塑性得到很大的提高,使可轧制的温度降低到300℃。     

常温腐蚀对Al-Si涂层氧化行为的影响

研究了未经 /经常温腐蚀的 DZ1 2 5镍基合金表面 Al-Si涂层的高温氧化行为。结果表明 ,经腐蚀的涂层等温氧化行为发生变化。在初始阶段 ,经腐蚀的试样增重大于未经腐蚀的试样 ,而且经腐蚀的试样的耐高温性能明显下降。氧化皮中主要是 Al2 O3及少量的 Ti O2 .     

硅氮烷环体的催化聚合及热解制备Si3 N4 材料

采用甲基氢二氯硅烷的氨解产物硅氮烷环体(MHSZ)为原料,以四丁基氟化铵为催化剂,制备了高分子量的硅氮烷聚合物(PHSZ),结合红外、核磁、凝胶色谱仪和热重分析了反应时间对合成的PHSZ结构、组成、分子量和陶瓷产率的影响。考察了低温氨气,高温N2气氛处理工艺对热解产物结构和组成的影响。结果表明,随着反应时间的延长,PHSZ高聚物的分子量提高,热失重降低;采用该热解方式PHSZ可转化为含碳量仅为0.5wt%的Si3N4材料,热解样品在1 600℃时完全结晶,晶相主要是α-Si3N4。     

40CrNi2Si2MoVA钢喷丸强化层微观结构

喷丸强化在金属材料表面形成强化层,可以有效提高构件的疲劳寿命,是金属构件表面完整性制造的重要方法.喷丸强化已有效应用于40CrNi2Si2MoVA钢制构件,为了探明喷丸强化对该钢种的强化机理,本工作采用高分辨电子显微电镜(HREM)对40CrNi2Si2MoVA钢喷丸强化层微观组织结构进行了系统分析研究.结果表明:喷丸强化使40CrNi2Si2 MoVA钢组织细化,呈明显的马氏体“有效晶粒”现象,“有效晶粒”尺寸为几个纳米到几十个纳米;“有效晶粒”界面呈明显的倾转现象,相邻“有效晶粒”间转动角度为几度到几十度,最大达到30°.     

Nb/Nb5Si3微叠层材料及其制备技术

Nb/Nb5Si3合金是未来最具潜力的超高温结构材料,实现该材料的结构微叠层化是一种新颖的材料设计思路和制备方法.Nb/Nb5Si3微叠层材料是将Nb和Nb5Si3按一定的层间距及层厚比以ABABAB型交互重叠结构形成的多层材料,其几种典型的制备技术包括热压、等离子喷涂、磁控溅射和电子束物理气相沉积(EB-PVD).其中EB-PVD是一种最适合工程应用的Nb/Nb5Si3微叠层材料制备方法,结构和功能复合、纳米化叠层、高韧化工艺是EB-PVD技术制备Nb/Nb5Si3微叠层材料的发展方向.     

DC Characteristics of Gamma-ray Irradiated SiGe HBT in Comparison with Si BJT

The changes of DC characteristics of SiGe HBT after being submitted to γ-ray irradiation of 700 krad, 7 000 krad and 10 000 krad were compared to those of Si BJT. Generally speaking, Ib and Ib–Ib0 increase with the doses increasing. For SiGe HBT, with the doses increasing, Ic and Ic–Ic0 as well as the related changes of the current gain (β) will decrease at higher Vbe, while for Si BJT, with the doses increasing, after irradiation, Ib and Ic–Ic0 increase; β and its related changes also decrease with their differences, however, tending to be very small at high doses of 7 000 krad and 10 000 krad. Moreover, given the same doses, the decreases of β are much larger than SiGe HBT, which shows that SiGe HBT’s anti-radiation performance proves to be better than Si BJT. Still, in SiGe HBT, some strange phe-nomena were observed: Ic–Ic0 will increase after the radiation of 7 000 krad in less than 0.65 V and as will β in less than 0.75 V. The mechanism of radiation-induced change in DC characteristics was also discussed.     

三维打印结合化学气相渗透制备Si3N4-SiC复相陶瓷

采用三维打印(3DP)技术成型Si3N4多孔陶瓷并结合化学气相渗透(CVI)SiC制备了Si3N4-SiC复相陶瓷。研究了烧结工艺对3DPSi3N4陶瓷线收缩率和孔隙率的影响。结果表明,3DPSi3N4坯体经热解除碳后再烧结,可以获得较小的线收缩率(<6%)及较大的气孔率(77.5%)。对其进行CVISiC近尺寸强化,研究了Si3N4-SiC复相陶瓷的抗弯强度随SiC体积分数的变化规律。     

Gd2SiO5纳米粉体的并流化学共沉淀法合成

以Gd₂O₃和正硅酸乙酯(TEOS)为原材料,采用并流化学共沉淀法合成Gd₂SiO₅粉体材料。研究Gd₂SiO₅前驱体的热响应特征、Gd₂SiO₅粉体的物相组成和微观形貌,并对Gd₂SiO₅粉体的合成机理进行初步探讨。结果表明:前驱体的低Gd/Si摩尔比和反应体系的高pH值会导致Gd₂SiO₅粉体生成Gd_9.33(SiO₄)₆O₂杂质相,相反则会导致生成Gd2O3杂质相。当Gd/Si摩尔比为20∶11、pH值为9~10、合成温度为1000~1300℃时,合成的粉体纯度较高,Gd₂SiO₅颗粒呈不规则形貌特征,平均粒度为100~200 nm。Gd₂SiO₅合成过程中,前驱体以一种—[Si—O—Gd]—网络结构存在,在煅烧过程中逐渐转化为Gd₂SiO₅晶体以及Gd_9.33(SiO₄)₆O₂和Gd₂O₃杂相。     

新型电子封装Si-Al合金的基础研究

对传统金属电子封装材料的研究开发现状进行了简单评述。利用喷射沉积成形技术制备了Si—Al（含硅量50～70wt％）合金。这种合金具有细小均匀的显微组织，同时具有低热膨胀系数、高热传导率和低密度等特点。