太赫兹固态电子器件和电路

随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的截止频率已经进入到太赫兹频段,太赫兹电路的频率特性特性得到极大发展。以固态器件为基础的电路的工作频率进入到太赫兹频段。太赫兹固态电子器件与电路技术在空间领域有着重要的应用前景。文章重点介绍InP基三端太赫兹固态电子器件和电路,以及太赫兹肖特基二极管器件和电路的技术发展过程与最新动态。并指出随着器件与电路的整体化与集成化发展趋势,太赫兹单片集成技术是其未来发展方向。     

太赫兹肖特基二极管混频性能分析

工作在太赫兹波段的肖特基混频二极管的混频性能会受到高频效应的影响而降低.将有限差分算法引入二极管内部电磁场的计算中,并从结电容并联效应、趋肤效应、等离子共振、速率饱和效应四个方面分析了高频效应对二极管混频性能的影响,并以截止频率作为品质因数,对二极管结构参数进行优化设计.仿真实验结果表明:随着频率的提高,减小阳极直径、减小外延层厚度和提高外延层掺杂浓度能减小高频效应的影响,提高太赫兹二极管的混频性能.     

一种新型微波功放线性化器

文章讨论了应用微波GaAs FET和微波二极管实现的微波功放线性化器。首先介绍了一些已有的FET线性化器;然后给出了一种新型的由GaAs FET和微波二极管共同实现的线性化器电路,并由Agilent ADS软件仿真;最后给出了微带实现的实际电路。这种线性化器具有可调节性强、适用范围广等特点,便于工程应用。     

一种太赫兹可重构超表面设计方法

太赫兹是第六代无线通信系统的核心技术之一,而可重构超表面技术作为太赫兹感通一体的难点问题,对其进行研究具有重大的意义和价值。本文提出了一种基于肖特基二极管的1 bit相位可重构超表面,通过控制肖特基二极管的偏置电压可以控制超表面单元在‘0’和‘1’两种工作状态间切换,可重构超表面单元在203GHz～230GHz的频段内实现了在‘0’,‘1’两种状态下反射幅度均大于-1dB,反射相位有180°±20°的变化,基于对单元进行组阵仿真试验,通过合理的设计阵面上单元的工作状态,可以实现波束扫描功能。本文所提出的方法为太赫兹可重构超表面的研究提供了一种新思路,在未来6G太赫兹通信等领域有重要的应用价值。     

外加载荷对镀Pt 探针与ZnO纳米棒接触电学特性的影响

利用原子力显微镜研究了镀Pt探针与生长在银基底上的单根ZnO纳米棒接触的电学特性.实验测得的Ⅰ-Ⅴ特性曲线呈基本对称的非线性形状,表明镀Pt针尖与ZnO纳米棒顶端形成了良好的肖特基接触.同时,研究发现随着外加载荷的增加,针尖与样品间接触面积增大,使得反向截止电压和正向导通电压均有所升高,而理想因子降低.