专业音响配置中应注意的几个问题

要使专业音响达到优良效果，在配置时应按照建筑声学的要求，计算出音箱电功率，保证音箱与功率放大器匹配，同时要考虑声场带来的影响，做到准确定位，充分发挥出设备的最大功能。     

WANDFULH液压比例阀在多功能液压试验台设计中的应用

比较详细的介绍了世界著名的液压元件公司—WANDFULH（瑞士）的液压比例阀在流量和压力控制方面的几种不同应用,并介绍了相应的Amplifier／oontmller card sd1伺服放大控制板的电路连接和软件应用,以及液压实验台的参数、功能要求和调试过程。     

测控装备机内测试设备计量校准技术研究

研究测控装备机内测试设备计量校准方法，获取机内测试设备技术状态的准确信息，是确保测控装备量值准确可靠的基础。以系统理论为指导，研究测控装备机内测试设备的工作运行机理和计量校准方法，选取某型测控装备，分析其技术要求、确定校准点、校准接口和校准设备，明确计量校准项目和参数，对提出的测控装备机内测试设备计量校准方法进行实验验证，为今后开展机内测试设备计量校准提供了方法和依据。     

基于交错带状线3 dB电桥的大功率功放技术

在现今的军用电子系统中,功率放大器起着举足轻重的作用。功率合成器件作为功率放大器的重要组成部分,需要满足高合成效率、高功率耐受能力和小型化的特性要求。基于交错耦合带状线定向耦合器,通过宽带匹配级联设计了一款8 GHz～12 GHz的四路功率合路器。测试结果显示：四路功率合路器的隔离度<-15 dB,回波损耗<-19 dB,合成效率>78.7%。基于该四路功率合成模块研制了一款X频段功率放大器,样机尺寸为52 mm×38 mm×5.5 mm,放大器在8 GHz～12 GHz的最大输出功率为52.2 dBm (40%占空比),插入损耗<1.4 dB。与传统的平面结构相比,基于这种功率合成器的结构更紧凑,合成效率更高,隔离度更好,功率耐受能力更强,适用于卫星通信、雷达和电子对抗等领域。     

多通道集成电路航天微波辐射计

简要介绍航天微波辐射计的用途，多通道集成电路航天微波辐射计的技术指标和设计原理，给出各主要部件技术参数和设计方法，其中包括天线、平衡混频器、波导至微带变换器、本机振荡器、中频和视频放大器、电源等，最后给出整机噪声系数的测试结果。     

小涡喷发动机排气温度传感器及温度信号放大器的研制

该温度传感器采用直径Ф１，５ｍｍ的碰地型铠装热电偶作测温元件，其金属外套管由高温合金ＧＨ３０制造。这种铠装热电偶短时工作上限为９００℃，长期工作上限为８００℃，时间常数小于０．３ｓ，能经受发动机振动和高温气动力的作用而可靠地工作。信号放大器采用差动输入式，可与碰地型的热电偶输出信号相配工作，放大器抗干扰能力强，结构紧凑，电气性能好。该系统经飞行试验证明，性能稳定，工作可靠。     

电压控制型脉宽调制（PWM）器件电参数的全面测试

介绍了电压控制型PWM器件(以下简称PWM器件)的功能结构及测试难点。提出了该类器件电参数的测试方案及实现方法。基于SP3160Ⅱ大规模混合集成电路测试系统软硬件资源,实现了PWM器件电参数的全面测试。重点阐述了误差放大器测试环路设计及输出驱动器电平测试的新方法。     

行波管放大器非线性特性对调幅信号边带压缩影响

为了更精确地测试星上功率放大器的饱和点,研究分析了TWTA(Travelling-Wave Tube Amplifier,行波管放大器)的非线性特性对AM(Amplitude Modulation,调幅)信号的边带压缩影响。文中基于Saleh模型描述TWTA,分析其在AM信号放大过程中的非线性特性,研究表明:随着输入AM信号的功率不断增大,放大后的输出信号畸变越来越严重;该变化主要体现在AM信号的边带上,与线性工作区相比,在TWTA的饱和点处,经放大后的AM信号的边带压缩程度达到最大。实验结果与理论分析结果完全一致。该研究为通信卫星星上功放饱和点测试提供了一种可行方法。     

一种有电压补偿电路的高性能低压CFOA及其小信号分析

提出了一种新型的电流反馈型运算放大器,该电路所具有的电压补偿电路克服了以往基于CMOS的CFOA两个输入端静态条件下不平衡的缺点,NMOS与PMOS互补的输入结构提高了电路的信噪比。采用0.6μm工艺参数(低阈值),1.5V电源电压,利用HSPICE进行了仿真,获得了4.95mW的功耗,4.5 kΩ的输入电阻,53.5°的相位裕度以及与增益无关的带宽和极大的转换速率。     

(0.1～1.8)GHz SiGe HBT超宽带低噪声放大电路设计

本文选用SiGe材料低噪声放大芯片,设计了一款(0.1~1.8)GHz小型低功耗超宽带低噪声放大器（LNA）。该LNA采用两级放大结构,负反馈方式实现宽带匹配,级间和输出端匹配采用小阻值电阻提高电路稳定性,电路尺寸为35mm×15mm。测试结果表明：工作频率为(0.1~1.8)GHz,在室温条件下,增益为30dB,噪声系数<0.82dB,增益平坦度<0.5dB,输入输出回波损耗<-10dB,直流功耗为41.8mW;在-40℃低温条件下,增益为32dB,增益平坦度、输入输出回波损耗、直流功耗与室温下一致,噪声系数<0.69dB。设计过程与测试结果验证了本文中使用室温SiGe放大管的S参数计算-40℃温度下该芯片S参数方法的可行性。