镓中间层1420铝锂合金扩散连接方法与试验研究

研究了镓对1420铝锂合金的表面活化作用,结果表明液态镓能有效破坏1420铝锂合金表面的氧化膜。基于镓中间层的表面活化作用,在力学拉伸试验机上通过机械加压方法,在试验温度520℃,连接压力7MPa,扩散时间1h条件下,对1420铝锂合金进行了扩散连接试验,并通过光学显微镜、扫描电镜和剪切强度试验等方法,对接头进行了微观分析和剪切强度测试。结果表明,中间层厚度小于1mg/cm2时,接头界面处的缝隙非常明显,焊合率较低,接头剪切强度很低,其剪切断口微观形貌光滑平整;中间层厚度大于1mg/cm2时(包括1mg/cm2),扩散连接界面完全消失,接头剪切强度明显提高,其剪切断口微观形貌中呈现沿剪切方向的撕裂带,表现为韧性断裂特征。中间层厚度为1mg/cm2时,接头剪切强度最高,达到58.35 MPa。     

锡、镓对铝钛异种合金真空钎焊的影响

在铝硅钎料中加入一定比例的锡和镓元素，具有改善接头组织形态、降低钎料熔点、提高钎料润湿铺展性、提高钎焊接头机械性能的作用，从而有效的改善了铝钛异种合金真空钎焊的工艺性能。     

基于镓铯对比的场发射电推力器分析与研制

为解决场发射电推力器由于液态金属推进剂导致的工程化问题,分析并提出以金属镓替代现有推进剂铯的技术方案。基于推进剂镓铯物性对比,分析其对推力与比冲、发射尖端升温、热蒸发、氧化污染等的影响,论证了金属镓的工程化优势及缺点。通过研制金属镓场发射电推力器原理样机,探索并实现了液态金属镓在大气环境中的加注与润湿,在点火试验中获得准线性场发射形貌,表明金属镓是场发射推力器的良好推进剂替代物。     

Damping of Ni-Mn-Ga epoxy resin composites

By combining the advantages of effcient damping and high mechanical properties,Ni-Mn-Ga particle composites have a very good prospect for applications in damping structure design.In this paper,a ferromagnetic shape memory alloy Ni-Mn-Ga composite is prepared.Ni-Mn-Ga particle/bisphenol-A epoxy composite cantilever beam vibration tests under a magnetic feld and without the magnetic feld are conducted to analyze the structural damping ratios n.Meanwhile,the damping characteristics of the Ni-Mn-Ga composite are studied through the axial loading-unloading method and the acoustic emission signals method.The damping coeffcient of the composite for different Ni-Mn-Ga volume fractions is obtained.The interface properties of the composite are discussed by micro examination and axial loading.The relationships between the damping of the composite and that of the component materials are discussed.The specifc damping capacity（SDC）and acoustic emission counts diagram of different specimens with different Ni-Mn-Ga volume fractions are analyzed.     

水杨醛缩－5－碘－8－氨基喹啉新西夫碱试剂的合成及其分析应用研究──分光光度法测定痕量镓

本文介绍了水杨醛缩－５－碘－８－氨基喹啉新西夫碱的合成、提纯与鉴定。特别对其性质及其与镓金属离子显色反应的光度特性作了研究，其配合物３．４９×１０４Ｌ·ｍｏｌ（－１）·ｃｍ（－１）．     

p-GaN/n-Ga2O3结终端延伸肖特基二极管结构仿真研究

由于缺少p型氧化镓，造成调制电场十分有效的pn结结终端延伸(junction terminal extension,JTE)结构无法使用，提出采用p-GaN与n-Ga2O3之间形成pn结JTE结构，有效解决了这一问题。同时为进一步提升氧化镓肖特基二极管击穿电压提供理论指导，运用Silvaco软件对p-GaN/n-Ga2O3结终端延伸肖特基二极管（schottky barrier diode,SBD）进行了仿真研究，通过与对照肖特基二极管对比发现采用p-GaN/n-Ga2O3 JTE结构的SBD击穿电压由880V增加到1349V，代价是器件正向导通电阻略微增加，由4.68mΩ·cm2增至5.62mΩ·cm2。探究了p-GaN深度对肖特基二极管特性的影响，发现p-GaN深度由0.3μm增加到1.2μm，器件击穿电压由1349V进一步提升到1685V，同时器件导通电阻基本不发生变化。通过仿真实验证明了p-GaN/n-Ga2O3 JTE结构提升SBD反向击穿特性的可行性。