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高纯硼粉的特性及其在富燃料推进剂中的应用研究 总被引:2,自引:0,他引:2
通过SEM、XRD、pH计、X射线荧光光谱仪和HAAKE流变仪等研究了高纯硼粉的物化特性,并重点研究了其用于富燃料推进剂的燃烧性能.结果表明,高纯硼粉中大部分颗粒不规则,但在微观上呈晶体结构.由于高纯硼粉表面B2O3、H3BO3杂质非常少,硼粉与水悬浊液的pH值接近中性,硼粉在HTPB粘合剂中的屈服值和表观粘度较小,且随混合时间增加,屈服值和表观粘度保持不变.通过290~407 ℃范围内高纯硼粉富燃料推进剂热分解过程的质量损失可定性认为,高纯硼粉参与凝聚相反应的活性高于无定形硼粉.燃烧性能研究表明,含高纯硼粉的富燃料推进剂低压下正常燃烧,燃烧特性与无定形硼粉相同,实测燃烧热和燃烧效率较高. 相似文献
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建立了测定六硝六氮杂异戊兹烷基(HNIW)两个主要中间体四乙酰基六氮杂异戊兹烷(TAIW)和四乙酰基二苄基六氮杂异戊兹烷(TADB IW)纯度的高效液相色谱法。采用二极管阵列紫外检测器检测,检测波长230 nm;中间体TAIW采用水作溶剂,DE-613反相色谱柱,甲醇流动相分离;中间体TADB IW采用冰醋酸溶解后水稀释,Symm etry-C18反相色谱柱,甲醇-水流动相分离。结果表明,两中间体分析方法标准偏差均小于1.0%,标准样品回收率均在100.0%左右,准确度和精密度较好,满足HNIW生产工艺和质量控制要求。 相似文献
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通过对两种分离方法即石墨化碳黑分析柱与PLOT Al2O3“S”分析柱分离情况比较,选择采用PLOT Al2O3“S”毛细管柱二阶程序升温法分离,不分流进样,火焰离子化检测器测定1-丁烯的纯度及烃类杂质含量,用面积归一法定量.此方法灵敏度高,准确度及精密度均符合要求. 相似文献
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为了进一步提高亚像元级地物的光谱分析精度,提出了一种基于核部分非负矩阵分解(Kernel Protection Non-negative Matrix Factorization,KPNMF)的非线性解混算法.首先通过基于凸面几何理论的端元提取方法提取纯像元端元候选像素集合,然后根据候选像素的空间纯度指数判断纯像元端元.在纯像元端元信息已知的条件下,利用核方法对部分非负矩阵分解(Protection Non-negative Matrix Factorization,PNMF)进行推广,构造相应的目标函数,推导迭代求解过程,分解求得亚像元端元光谱和所有端元的丰度.试验结果表明,提出的解混算法具有良好的非线性分解能力,解混结果优于线性解混算法. 相似文献
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一种新的判别决策树的建树准则 总被引:2,自引:0,他引:2
王惠文 《北京航空航天大学学报》2000,26(1):111-113
讨论了一种新的判别决策树评价准则,在建立二分树的过程中,提出采用不可分辨度最大下降作为选择自变量的原则.这种新准则与经典的非纯度下降算法在概念上是近似的.如果适当定义非纯度下降算法中的权重,则这两个准则就是完全等价的.然而,新准则的计算更加简单,并且通过案例分析可知,对新准则计算结果的解释也更加容易. 相似文献
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产品的设计色彩与人的情感心理 总被引:4,自引:0,他引:4
刘涛 《沈阳航空工业学院学报》2000,17(4):84-86
本文讨论了色彩在工业设计中的应用,并通过色彩构成的色相,明度,纯度等概念的探讨,说明了不同的色彩给人以不同的感觉,产生不同的情绪,并进一步说明了色彩在产品设计上的作用与人的心理情感的关系。 相似文献
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高温合金中夹杂物是影响合金冶金质量和使用性能的主要因素。采用三联冶炼工艺对GH4169合金进行冶炼,并利用配有能谱仪的扫描电镜系统研究了VAR铸锭边缘及顶端区域夹杂物类型与分布的变化情况,为夹杂物的进一步控制提供参考。结果表明,在横向方向上,随试样所在位置远离铸锭边缘,夹杂物的平均尺寸由3.15 μm递减至2.58 μm,其数量密度由2 291 N/mm2(N代表夹杂物个数)降低至1 429 N/mm2;在纵向方向上,随试样所在位置远离铸锭顶端,夹杂物的平均尺寸由3.47 μm递减至2.84 μm,其数量密度由1 453 N/mm2降低至904 N/mm2,而合金中均包含5种类型的夹杂物,其类型与试样所在位置无关。最终,本实验初步判定φ508 mm的GH4169铸锭较为合适的车削量与切头量分别为30~40 mm和110~120 mm。 相似文献
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采用热等静压工艺制备了高纯钨靶,并在不同温度下对其进行退火处理。采用金相显微镜、TEM、XRD和硬度计对不同温度退火的高纯钨靶的显微组织和内应力进行表征。结果表明:高纯钨靶经1200℃真空退火后,保留了热等静压后的细晶组织,晶粒未发生长大,但是位错密度却大幅度减小,晶格畸变率下降,硬度值降低,这是由于退火处理使热等静压高纯钨靶发生回复,内应力得以释放。当退火温度低于1200℃时,钨靶的内应力去除不完全,当退火温度高于1 200℃时钨靶的晶粒开始长大,故热等静压高纯钨靶的最佳退火温度是1 200℃。 相似文献