地面数字电视基带调制器芯片电源网络设计

对IR-drop和EM现象进行了解释和分析,结合地面数字电视基带调制器芯片的设计,将标准单元区域简化为电源电阻网络进行建模,根据模型计算出最大电压降,在保证最大电压降区域能够正常工作的基础上,简单有效地设计了标准单元模块区域的电源网络,最后在考虑到宏模块电源环压降的前提下,将宏模块区域转化成标准单元区域进行建模,完成了整个芯片的电源网络设计.此方法运用于早期布局,确保电源分配的可靠性,提高设计效率,通过地面数字电视多媒体广播的全模式发射端芯片的流片成功和功能的实现,证明了该方法的实用性和有效性.     

硅通孔中电致应力的有限元分析

在三维电子封装中,硅通孔(TSV,Through-Silicon-Via)是实现芯片垂直互连的关键环节,其可靠性至关重要.随着硅通孔中电流密度的增大,电致应力对TSV可靠性的影响也越来越大.基于该耦合方程和有限元的一般原理,详细地推导了弹性材料属性下TSV内部的电致应力、应变的有限元分析模型;利用ABAQUS中的用户自定义单元(user defining element)接口,实现了该模型的有限元计算,并利用解析解对该有限元模型的正确性进行了验证.利用有限元模型对TSV中铜填充的电迁移问题进行了分析计算,描述了铜填充在电迁移过程中电致应力、应变以及空位浓度的演化过程和分布规律,为三维电子封装可靠性的全面评估提供了一定的依据.     

络阴离子在阴极放电中的推动力

众所周知,“简单金属离子”可在电极上放电。而络阴离子,如:Zn(oH)_4~(2-),CU(CN)_4~(2-),Ag(CN)_2~-,等等,能逆电场力跑到阴极表面去放电,这似乎是不可思议的事。本文扼要阐述引起此现象的原因所在。     

电流对SnBi共晶合金熔体／Cu反应偶界面反应的影响

研究了250℃条件下电流对SnBi共晶熔体／Cu／SnBi共晶熔体反应偶的界面反应的影响。实验结果表明未施加电流时SnBi共晶熔体／Cu反应偶界面反应产物为扇贝状的Cu6Sn5层和薄的Cu3Sn层。施加电流会促进SnBi共晶熔体／Cu反应偶界面反应层的生长。电流作用下SnBi共晶熔体／Cu／SnBi共晶熔体反应偶的阳极界面反应层厚度明显厚于阴极界面反应层厚度。