Hg_(1-x)Cd_xTe 中杂质对及双空位深能级的研究

以A.Kobayashi等的半经验紧束缚模型和Hjalmarson-Vogh-Wolford-Dow深能级理论为基础,计算了Hg1-xCdxTe中阳离子位替代式杂质（包括N,O,C）与最近邻替代式杂质形成sp3键杂质对后阳离子位杂质A1对称性深能级的变化以及最近邻理想双空位（Vc,Va）的深能级。计算结果表明：阳离子位杂质A1能级的变化取决于与其配对杂质的电负性,杂质对a1能级组分依赖关系dE/dx小于阳离子位单杂质A1能级的dE/dx,大于阴离子位单杂质T2能级的dE/dx,不同杂质对的dE/dx基本相同;理想双空位（Vc,Va）在能隙或近能隙区域产生一个a1态深能级,该能级的dE/dx很小,对于CdTe,位置在0.5eV,对于x<0.37的Hg1-xCdxTe,该能级成为导带共振态。