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PECVD法生长纳米硅薄膜的压敏特性 总被引:3,自引:0,他引:3
使用常规的PECVD(等离子体增强化学汽相沉积)沉积技术成功地制备出具有纳米相结构的硅薄膜,并研究了以玻璃和单晶硅为衬底材料的纳米硅薄膜的压阻特性,测得两种衬底材料制备的样品均有很高的压力灵敏度系数K,其值可以达到80,退火后K值会增加,电阻随压力呈良好的线性关系,但有较大滞后,并对样品的受力情况及测试结果进行了简单的分析。本文对nc-Si:H薄膜力敏器件的设计和制造将有重要的参考价值。 相似文献
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以CaCO3和Ca(H2PO4)2.H2O[钙磷比n(Ca)/n(P)=1.67]的混合物为前驱体,在超声波辅助下,水热法制备了纳米羟基磷灰石(n-HAP)。利用X射线衍射仪、电子透射电镜、傅里叶红外吸收光谱仪对制备的羟基磷灰石进行表征。并从前驱物溶液的配制、晶体成核、晶体生长等方面探讨了羟基磷灰石纳米晶体形成的机理。 相似文献
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