航天核心电子设备加速度输入接口电路抗HEMP加固技术研究

提出航天核心电子设备接口电路抗HEMP(高空电磁脉冲 )加固的设计方案 ,并对加速度输入接口电路抗HEMP加固的有关工程实现作了具体介绍 ,为开发新一代具备抗HEMP能力的航天电子产品提供技术借鉴     

ESD EMP对触发器电路的辐照效应实验

静电放电产生的电磁脉冲具有上升沿陡、频带宽和峰值大等特点,它对电子系统具有很强的干扰和破坏作用.为研究ESD EMP对电子系统的影响,以某电子设备上的电路板为实验对象,进行了ESD EMP辐照效应实验.实验表明,该电路板在ESD EMP作用下,触发器的存贮数据会发生改变.在实验基础上,分析了各种效应产生的原因.     

无线电引信的电磁脉冲效应

强电磁脉冲对武器装备电子系统具有很强的干扰和破坏作用。通过超宽带电磁脉冲对无线电引信的辐照实验,研究了无线电引信在超宽带电磁脉冲作用下的效应。实验表明：无线电引信在超宽带电磁脉冲照射下,会产生早炸现象。在介绍无线电引信工作原理的基础上,分析了无线电引信产生早炸的原因,得出超宽带电磁脉冲直接作用无线电引信点火电路从而引起旱炸的结论。     

E-弹-大规模电性毁伤武器

高功率电磁脉冲和高功率微波产生技术已经逐渐成熟,常规E-弹的发展允许其在非核条件下使用,E-弹在战略和战术信息战上的应用,其在技术上已成熟。文中讨论了E-弹的相关的技术原理和投射技术,并提出了E-炸弹和战斗部应用的领域和依据。     

数据存贮器的电磁脉冲效应及加固方法研究

计算机中的数据随机存贮器（RAM）非常容易受到电磁脉冲（EMP）的干扰。为研究电磁脉冲对计算机数据存贮器的影响,以静电放电电磁脉冲（ESD EMP）为干扰源,以单片机的外部数据存贮器为实验对象,进行了静电放电电磁脉冲对外部数据存贮器的辐照实验。实验表明,在静电放电电磁脉冲作用下,外部数据存贮器（RAM）的内容很容易被改写。在实验基础上,对外部数据存贮器的加固方法进行了研究。     

电子系统的电磁脉冲效应及防护

电磁脉冲对电子系统具有很强的干扰和破坏作用.为研究电磁脉冲对电子系统的影响,进行了静电放电电磁脉冲对单片机系统的辐照效应实验.实验表明,单片机系统在静电放电电磁脉冲作用下,会出现多种故障现象.在效应实验基础上,研究了单片机加固技术.