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针对辐射前后环栅与条栅结构部分耗尽绝缘体上硅(SOI,Silicon On Insulator)器件关态电流的变化展开实验,研究结果表明辐射诱使关态电流增加主要取决于侧壁泄漏电流、背栅寄生晶体管导通、带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应.在条栅结构器件中,辐射诱生场氧化层固定电荷将使得器件侧壁泄漏电流增加,器件前、背栅关态电流随总剂量变化明显;在环栅结构器件中,辐射诱使背栅晶体管开启将使得前栅器件关态电流变大,而带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应将使得器件关态电流随前栅电压减小而迅速增加.基于以上结果,可通过改良版图结构以提高SOI器件的抗总剂量电离辐射能力. 相似文献
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面向壁面剪应力测量的底层隔板微敏感结构设计与制造 总被引:1,自引:0,他引:1
采用MEMS技术加工的底层隔板能够为壁面剪应力的测量提供新的手段。利用有限元法(FEM)建模仿真、正交实验设计以及各因素的极差分析,考查了微敏感结构宽度、厚度和凸出壁面高度对底层隔板固有频率和压阻灵敏度的影响规律,完成了底层隔板的结构优化设计。仿真结果显示:微敏感结构厚度对隔板固有频率和灵敏度影响最大,提升敏感结构高度能够有效提高压阻灵敏度,固有频率和压阻灵敏度受微敏感结构宽度变化影响很小。基于绝缘体上硅技术,利用电感耦合等离子体刻蚀工艺形成底层隔板结构,反应离子刻蚀工艺完成对敏感结构的释放,所加工底层隔板的整体尺寸为5.9 mm×10.1 mm×0.39 mm。底层隔板的动态特性测试表明样件固有频率为1 453.1 Hz,与有限元仿真结果的最大偏差为4.4%。 相似文献
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基于0.13 μm部分耗尽绝缘体上硅(PD-SOI)工艺,设计了一款片上反相器链(DFF)单粒子瞬态(SET)脉宽测试电路并流片实现,SET脉宽测试范围为105~3 150 ps,精度为±52.5 ps。利用重离子加速器和脉冲激光模拟单粒子效应试验装置对器件进行了SET脉宽试验。采用线性能量传输(LET值)为37.6 MeV·cm2/mg的86Kr离子触发了反相器链的三级脉宽传播,利用脉冲激光正面测试器件触发了相同级数的脉宽,同时,激光能量值为5 500 pJ时触发了反相器链的双极放大效应,脉宽展宽32.4%。通过对比激光与重离子的试验结果,以及明确激光到达有源区的有效能量的影响因子,建立了激光有效能量与重离子LET值的对应关系,分析了两者对应关系偏差的原因。研究结果可为其他种类芯片单粒子效应试验建立激光有效能量与重离子LET值的对应关系提供参考。 相似文献
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穆新华 《南京航空航天大学学报》1993,(1)
电机绕组绝缘寿命很大程度上决定了电机的寿命,而绕组绝缘寿命又与电机绕组温度密切相关。航空电机的工作条件与地面电机相比有很大的不同,如高空、高速和负载变化大等问题。而且由于重量轻、体积小等特殊要求,使航空电机的电负荷、热负荷都比地面电机大得多,这样不仅使航空电机绕组的工作温度高,而且还具有很大的随机性。因此,根据电机绕组工作温度的变化来分析航空电机绕阻的可靠性模型和寿命是十分重要的。 本文从航空电机绕组工作温度的随机性出发,建立了定量的可靠性模型,推导了绕组绝缘热老化过程的可靠度、失效率及平均寿命的计算公式,为航空电机的可靠性分析、设计提供了基础。 相似文献
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我们光知道铁在1500℃的高温下会完全液化,电磁传导性会极大下降,但有谁知道,铁在接近-273℃时也会液化,同时还具备了几乎没有电阻存在的超导体性能。尤·契科夫还指出,真空对于超导和弱电相互作用都是绝缘体。宇宙其实正是这样, 相似文献