IC制造中平坦化技术的性能与分析

表面平整化技术是半导体工业的关键技术,在一定程度上制约着半导体芯片集成技术的发展,针对多层立体布线的IC全局平坦化技术,介绍了代表当今平整化技术及其未来的发展方向,其中一些技术会取代传统的CMP技术而成为IC产业的主导技术之一;叙述了超大规模集成电路(ULSI)的发展对全局平整化的具体要求;对传统的CMP技术的特点进行了分析;并论述了当今主流的IC平整化技术的原理、性能以及未来的发展方向。     

硅片在快速热处理系统中的温度测量

国外为了提高计算机硅片的集成度和产品的合格率，开展了硅片快速热处理的研究，在这项新技术中温度测量起着关键的作用，由于地快速热化学蒸汽沉积过程中，硅片表面发射率变化影响了测温的准确性。本文介绍了在用辐射法测温时，同时测辐射量和反射率２个参数，然后由反射率计算发射率，通过计算机对测量结果进行了补偿的新技术，并介绍了原理，实验设备和初步实验结果。     

一种使用硅片集成光路技术制造的干涉仪

一、绪言光学干涉仪为精密测量动态范围较大的位移提供了一种有效方式,其最简单的结构是图1所示的迈克尔逊干涉仪。在工业测量中,大部份干涉仪使用氦氖激光器作为光源,并由许多分离的玻璃元件如反射镜、分光镜等组成。这些元件的加工必须十分精密,其成本也十分昂贵。目前已经研制出一种在硅片上集成光路的技术。利用该技术制成的干涉仪具有以下优点: ·硅片具有较大的面积((?)152.4mm),并具有很好的光学质量及适中的价格; ·集成光路可按机械加工平面技术制造,而且这种技术早已被半导体工业所采用;     

工件旋转式磨削大直径硅片技术的研究进展

在分析单晶硅片的典型加工工艺基础上,介绍了基于工件旋转式磨削法的大直径硅片超精密加工技术的原理及特点,综述了该项技术的试验研究进展及建立的数学模型,分析了有限元法在工件旋转式磨削硅片研究中的应用,最后提出了工件旋转式磨削大直径硅片技术目前存在的问题和今后的发展趋势。     

探针游移对方形四探针测试仪测量硅片薄层电阻的影响分析

分析方形四探针探针游移对其测量微区薄层电阻的影响,完成了测试薄层电阻的公式的推导,对游移后产生的误差影响进行了统计数据分析,得出了测试结果满足测试误差要求的结论。     

硅晶片表面超精密加工中的温度控制

温度是硅晶片表面超精密加工中的关键工艺参数。深入研究化学机械抛光中温度参数对硅晶片表面状态的影响规律。实验结果表明,在30℃~35℃温度范围内的恒温工艺条件下,硅晶片表面质量较佳。以虚拟仪器LabVIEW为软件开发环境,搭建抛光设备的温度控制工艺模块,设计采取相应技术措施有效实现温度控制。实验验证该工艺模块具有启动迅速,控制精度高,恒温效果好等优点。     

探针游移对方形四探针测试仪测量硅片薄层电阻的影响分析

分析方形四探针探针游移对其测量微区薄层电阻的影响,完成了测试薄层电阻的公式的推导,对游移后产生的误差影响进行了统计数据分析,得出了测试结果满足测试误差要求的结论.     

太阳能硅片精密切割技术及其特性研究

本文在对当前太阳能硅片常见切割技术及其特性进行分析和比较的基础上,提出数控超声振动切割太阳能硅片技术,为太阳能硅片的精密切割提供一种新的实用的加工方法.