煤体变形局部化的梯度塑性理论研究

本文采用白光数字散斑相关方法对煤在单轴压缩下变形破坏进行研究,定量的测出了煤的变形局部化带宽度.并通过应变梯度塑性理论,在屈服函数中引入应变梯度二阶项.采用Drucker-Prager准则解析得出了煤试件的变形局部化带宽度公式并根据试验确定煤的材料内部长度.     

SRAM型FPGA散裂中子源反角白光中子单粒子试验

本文利用中国散裂中子源(CSNS)反角白光中子束线开展了45nm工艺XC6SLX150、XC6SLX16两款SRAM型FPGA器件大气中子单粒子效应地面模拟试验,分析获得了器件截面数据并与之前结果进行比较.结果表明,同工艺器件中子单粒子效应截面基本一致,反角白光中子源、LANSCE散裂源及国内14MeV单能中子源单粒子...     

U档案

U档案编号:NO.80目击地点:美国,得克萨斯州备注:我儿子在丹顿乡间公路上驾车时看到的,时间是早上6时50分。他看到在大坝对面的山坡上有一道白光,他首先想到的是飞机,因为过去在海军服役,他对飞机很熟悉。接着他开始寻找红绿光,他能看见,因为它飞行很慢,30米～50米高,似乎要与海岸线接触了,与眼睛视线相平。他慢慢减速,打开车窗,观察这个飞行物。它没有一点声响,黑灰色,三角形状,是金属的,底部有镶板线条。飞船下面有三道光芒,不闪烁。他停了车,冲了咖啡,画了一张素描,写下细节,就去上班了。     

MAXOS白光测量机在压气机叶片检测中的应用

本文介绍了叶片白光测量技术原理、优势以及在压气机叶片检测中的实例.     

可被蓝光激发的白光LED用红色荧光粉材料体系与发光性能研究

综述并讨论了目前研究的可被蓝光LED芯片有效激发且具有宽发射带的红色荧光粉,可以得出：白光LED用红色荧光粉主要包括碱土金属硫化物、新型氮化物及硅酸盐等,这些红色荧光粉均可被460 nm蓝光激发,并具有宽发射光谱的特点。同时着重分析了其晶体结构与荧光性能之间的联系,并探讨了高显色指数和色温可调的白光LED用红色荧光粉下一步的研究方向与应用趋势。     

煤体变形局部化的梯度塑性理论研究

摘 要 本文采用白光数字散斑相关方法对煤在单轴压缩下变形破坏进行研究，定量的测出了煤的变形局部化带宽度。并通过应变梯度塑性理论，在屈服函数中引入应变梯度二阶项。采用Drucker－Prager准则解析得出了煤试件的变形局部化带宽度公式并根据试验确定煤的材料内部长度。     

GaN基白光LED电流加速老化特性研究

本文对三组Al2O3衬底上生长GaN基蓝光激发黄色荧光粉的白光LED进行了对比电流加速老化实验,老化电流分别是30 mA5、0 mA和70 mA。随着老化电流的增大,GaN基白光LED的光输出功率随时间的衰减速率相对较快;随老化时间的加长,30 mA电流驱动下,GaN基白光LED相对光谱中黄光比重先增加再减小。其原因归结为荧光粉受热降解导致转换量子效率降低和荧光粉本身对短波长的光散射共同作用的结果。最后计算出用于实验的白光LED寿命为457 h。     

白光LED用VO4：Ce^3＋荧光粉的制备与表征

白光LED中YAG荧光粉专利权为日本Nichia所有,各国研究者为了规避专利,争相研究替代产品。本文首次采用高温固相法制备了YVO4：Ce^3＋荧光粉,对不同Ce^3＋掺杂浓度下XRD图样与国际标准衍射卡对比后发现在1100℃保温9小时合成的Ce^3＋：YVO4为四方晶系结构,随保温时间延长,结晶程度更好,但时间再长时,结晶变化已不大。荧光光谱表明,激发光谱为双峰结构,主峰在232nm和403nm。发射光谱为一宽带,峰值在424nm附近。发现最佳Ce^3＋掺杂浓度为5mol％。结论是Ce^3＋：YVO4荧光粉可以满足与蓝光LED复合产生自然白光的要求。     

白光LED用VO4:Ce3+荧光粉的制备与表征

白光LED中YAG荧光粉专利权为日本Nichia所有,各国研究者为了规避专利,争相研究替代产品。本文首次采用高温固相法制备了YVO4：Ce^3＋荧光粉,对不同Ce^3＋掺杂浓度下XRD图样与国际标准衍射卡对比后发现在1100℃保温9小时合成的Ce^3＋：YVO4为四方晶系结构,随保温时间延长,结晶程度更好,但时间再长时,结晶变化已不大。荧光光谱表明,激发光谱为双峰结构,主峰在232nm和403nm。发射光谱为一宽带,峰值在424nm附近。发现最佳Ce^3＋掺杂浓度为5mol％。结论是Ce^3＋：YVO4荧光粉可以满足与蓝光LED复合产生自然白光的要求。     

用Ce~(3+):YVO_4晶体荧光粉与蓝光LED制造自然白光LED

本文报导了通过结合自行制备的掺铈钒酸钇晶体(Ce3 :YVO4)荧光粉与InGaN／GaN蓝光发光二极管(LED)结合而得的白光发光二极管(W-LED)。在室温、正向电压3.5V、正向电流20mA时W-LED的CIE色坐标为(0．32,0．37),接近纯白色(0．33,0．33)。