高导电硅橡胶材料的性能

首先通过平行对比了三种填充不同导电填料的硅橡胶材料的拉伸强度、扯断伸长率、恒定压缩永久形变、导电性及屏蔽性能,优选出镀银铝粉作导电填料;考察了镀银铝粉用量对硅橡胶材料的拉伸强度、伸长率、压变、微观形貌、导电性能的影响,最终确定镀银铝粉的填充体积分数为55%;结合导电橡胶制品对使用寿命的需求,进一步深入研究了导电硅橡胶材料在自然平贮老化及高温加速老化下的导电性能。结果表明:随老化时间的延长,体积电阻率不断增大,导电性能减弱。自然平贮老化60 d后,材料的体积电阻率基本不变;900d后,体积电阻率由初始值4.6×10-3Ω·cm增大至7.5×10-2Ω·cm。150℃老化30 d后,体积电阻率由初始值增大至9.5×10-2Ω·cm。填充镀银铝粉的导电硅橡胶材料在两种条件下老化后均能保持高的导电性;高温加速老化对导电性能的影响大于自然平贮老化。     

先驱体法制备连续Si-Fe-C-O吸波纤维的研究

用聚二甲基硅烷和二茂铁合成聚铁碳硅烷,经多孔熔融纺丝、预氧化、连续烧成,制得电阻率低至10-2Ω·cm,拉伸强度可达2.0GPa,长度大于500m的连续Si-Fe-C-O纤维,这种纤维在8～18GHz范围内具有较好的吸收雷达波性能.研究铁对Si-Fe-C-O纤维电阻率和β-SiC结晶的影响:铁含量的增加有利于β-SiC晶粒的增长和电阻率的降低.     

MD-140导电胶粘剂性能测试及分析

文章简要介绍了航天器常用导电胶粘剂的成分和功能原理,研究了MD-140 导电胶粘剂的基本性能以及经过温度循环试验、粒子辐照试验后其力学性能、导热性能和导电性能的变化情况。从导电胶粘剂内部结构角度出发,对其性能的环境退化机理进行分析探讨。结果表明:高低温循环试验后,导电胶的黏结性能变强,导电性能变差,导热性能变化不显著;粒子辐照试验后,导电胶的黏结性能和导电性能变差,导热性能变化不显著。     

添加镍粉和二硼化锆防静电涂层的对比研究

对添加镍粉和二硼化锆涂层的导电性进行了对比试验，讨论了添加型防静电涂层的防静电机理。试验结果表明：添加型防静电涂层导电通路的形成是导电粒子的直接接触和隧道效应综合作用的结果。文中还推导了计算涂层中导电粒子间距的近似公式。     

低电阻率Si—C—O纤维制备

采用将聚二甲基硅烷与聚氯乙烯共裂解合成制备了Si－C－O纤维先驱体聚合物，并对其进行了表征。表明反应体系中聚氯乙烯含量较高时，生成的先驱体聚合物既有聚碳硅烷的结构特征，又具有－CH＝CH－共轭结构特征的－（SiCH3H-CH2)n（CH＝CH）m－共聚物。先驱体聚合物经熔融纺丝及NO2不熔化处理，高温烧成制得低电阻率Si－C－O（电阻率小于10^0Ω.cm），而通过聚碳硅烷制得的SiC纤维电阻率为10^6Ω.cm。结果表明能够从聚二甲基硅烷与聚氯乙烯共裂解出发制备低电阻率Si－C－O纤维。     

ITO透明导电膜的制备及性能

研究了用直流反应磁控溅射法在无机玻璃基片上制备ＩＴＯ透明导电膜的工艺;测试了膜的电阻率、对可见光的透射率及对垂直入射微波的反射率和透射率;研究了反应溅射时氧浓度、溅射后退火气氛对电阻率和透光率的影响;ＩＴＯ膜方块电阻对微波反射率和透射率的影响     

碳纤维电阻率的评价表征

通过对QJ3074-1998中的测试原理和测试夹具的改进,提高了四探针法线材电阻率测试仪的测试精度并拓宽了测试范围,获得了试验验证.通过试样长度对测试结果的影响及试验条件对测试结果的影响等试验,系统评价表征了各种碳纤维的电阻率,为建立碳纤维电阻率测试方法标准奠定了重要的技术和数据基础.     

低电阻率SiC纤维先驱体聚碳硅烷的制备与表征

由聚二甲基硅烷（PDMS）与3％－7％（质量分数）聚氯乙烯（PVC）共热解反应生成的聚碳硅烷（PC—P），是制备力学性能优良的低电阻率SiC纤维的先驱体。研究了PC-P先驱体的合成条件，利用GPC、IR、XPS、元素分析等手段对PC—P的组成与结构进行了分析。结果表明，PC—P先驱体的最佳合成条件为450℃保温6h-8h，熔点为180℃—230℃，数均分子量为1350-1800，分子量分散系数为2.0左右；PC—P含有Si、C、H、O元素，其C含量高于由PDMS制备的先驱体PCS，而Si含量低于PCS；结构与PCS相似，但Si-H键含量低于PCS中Si-H键含量。     

航天器表面材料充电性能研究—关于RTV-Ⅱ和13-17涂层的评价

本文报道了RTV-Ⅱ黑漆和13-17白色涂层二种航天器温控材料的电导在综合空间环境条件下的实验结果。实验表明RTV-Ⅱ涂层材料的电导从1984年到1986年,几乎每年下降一个量级,因而充电状态明显改变。13-17涂层材料的电导对空间真空环境响应不明显,但对电子辐照和光辐照响应显著,尤其对光辐照存在强烈的记忆效应。预测该涂层在轨道上由光照区进入星蚀区也不会出现明显充电现象。     

四探针电阻率测试仪恒流源的设计

基于恒流源对四探针电阻率测试仪测量准确度的重要性,利用闭环反馈控制输出恒流法,采用运放OP07,MOSFETIRF640,模拟开关CD4051BC完成了恒流源的设计,并分析和解决了模拟开关导通电阻对测量带来的影响。该测试仪能根据半导体材料的不同自动给出不同量程的电流,满足了实际工作的需要。