微型加工的硅加速度计B—290

加速度计Ｂ－２９０是应用在姿态与航向基准系统中新一代的惯性级敏感器。Ｂ－２９０敏感器是用微机械加工方法进行设计和生产的，它应用平板印刷术，化学汽化沉积法，异向性刨刻法、金属溅蚀法硅－硅粘接法。所用的主要设备和电子芯片的生产相类似。它包括粘接在一起的五个硅板，整个处理过程是在一个晶片组件上加工１４０个敏感器。     

航天器回收用静压高度控制器的研制

静压高度控制器是载人飞船启动回收着陆系统的关键部件,也是返回式卫星和其它航天器回收系统启动信号的一种方式,其经受恶劣环境,性能、要求高。静压高度控制器又分为膜盒式和硅压力式,文章主要论述了硅压力静压高度控制器在回收系统中的作用,主要介绍了它的工作原理和组成,研制中解决的电路、结构及可靠性方面的问题,并给出了试验结果和研制结论。     

美国研究人员关注分子规模集成电路

为了制作比以前的体积更小的芯片,美国工业界和大学的科学家们都正在关注新一代集成电路的封装技术。 据美国惠普公司(HP)和洛杉矶加洲大学(UCLA)的研究人员称,他们已获得可能导致生     

N2O-C2H2火焰原子吸收光谱法测定纯镍中硅含量

为简化纯镍中硅含量的测定过程,提高测量精度,研究了一种N2O-C2H2火焰原子吸收光谱法用于检测。介绍了方法的原理、工作参数和测定条件,并确定最佳工作条件,讨论了燃烧温度、共存离子等干扰因素的影响。实验结果表明,该法的灵敏度高、干扰小、选择性和重现性好,操作简单,分析周期短。其测定结果的相对标准偏差均小于1.0%,标准加入回收率大于97.0%(样本数n=6),可满足实验室仪器分析质量与控制的要求。     

硅压阻式湿度传感器

介绍应变式湿度传感器的工作原理,以硅压阻元件为基础,制作了湿度传感器、组成桥式电路,得到电压输出,湿度与输出呈直线关系,滞后特性甚小,满足实用要求。     

掺磷纳米硅薄膜的微结构

采用喇曼(Raman)散射谱、高分辨率电子显微镜(HRTEM)和原子力显微镜(AFM)对掺磷纳米硅薄膜的微结构进行了分析,并对纳米硅薄膜的传导机制进行了探讨.结果表明:掺磷纳米硅薄膜由尺寸为2～4*#nm的晶粒和2～3个原子层厚的非晶界面构成,计算得到薄膜的晶态比为40%～55%.与本征纳米硅薄膜相比,掺磷纳米硅薄膜晶粒尺寸和晶态比没有明显变化,电导率却提高了2个数量级.随着掺磷浓度增加,纳米硅薄膜的晶粒尺寸、晶态比及电导率逐渐增大.AFM观察表明掺磷纳米硅薄膜由尺寸介于15～20*#nm的团簇构成,团簇排列具有带状特征.     

非硅氧化物的滤出及其机理探讨

 采用B核磁共振仪,激光拉曼光谱仪,隧道扫描显微镜及各种化学分析等方法,较系统地研究了沥滤温度、时间和酸液浓度对拉制的钠硼硅玻璃纤维纯度的影响。结果表明,高钝超细SiO_2,纤维可以用酸沥滤法获得;揭示了纤维中非硅氧化物沥出的规律;并初步探讨了沥滤机理,认为沥滤过程主要是B~(3+)和N~+与H~+发生交换扩散的过程。