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针对低电压下静态随机存储器(SRAM)出现的读写性能损失的问题,设计了一种应用于低功耗SRAM的两步控制(DSC)的字线电压辅助电路技术,可以同时实现读和写辅助的功能,降低SRAM的最小工作电压从而降低功耗。写辅助通过字线开启前段的字线过驱(WLOD)实现,提高写数据速度和写阈值(WM);读辅助通过字线开启后段的字线欠驱(WLUD)实现,降低静态噪声,提高稳定性。通过在28 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺下,对256 Kbit SRAM进行前仿和后仿仿真验证,结果表明相比于传统结构,应用DSC字线电压技术的SRAM的最小工作电压降低100 mV,写时间减小10%,静态功耗降低30%,版图面积增大4%。 相似文献
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基于金属材料微裂纹检测传感器系统放电脉冲的形成过程, 建立了离散化放电的数学模型, 提出了传感器系统参数优化设计的一种新方法。实验结果表明, 采用该理论设计的传感器系统参数, 避免了经验公式设计的片面性, 保证了传感器系统无损检测的可靠性和精确性。 相似文献
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