电子元器件性能与液相外延工艺

分析了液相外延（ＬＰＥ）在微电子工艺中的状况及其原理，概述了ＬＰＥ在器件制造中的应用，指出了ＬＰＥ的电子元器件的优良特性，给出了ＬＰＥ在光电子领域研究中的最新成果。     

硅液相外延工艺研究

根据硅液相外延研究过程中的现象及结果，具体讨论了硅液相外延工艺中四个关键环节，给出了衬底处理，溶源，衬底保护，残余熔体处理的方法。     

硅液相外延生长的晶向自动偏离现象

通过对液相外延的薄膜Ｘ衍射测试，结果显示不论衬底是否偏离［１１１］晶向，外延层在同一衍射位置都出现了双峰。经比较分析，确认了硅（１１１）面在液相外延生长时存在晶向自动偏转现象。     

硅液相外延的线,点生长

研究了硅液相外延层的表面形貌与衬底的初始状态的关系。实验结果表明，在采用有线性划痕的衬底时，可以在硅（１１１）面实现与三维集成技术中横向生长不同的线外延生长；而用表面形貌较好但有微缺陷的衬底时，适当控制液相外延生长过程，则可以在硅（１１１）面可以实现单晶点外延生长。