Bi_(1.9)Pb_(0.3)Sr_(2.0)Ca_(1.7)Mg_(0.3)Cu_(3.1)O_x 超导块材弱连接区的低磁场性

通过对在不同外磁场下Ｂｉ１．９Ｐｂ０．３Ｓｒ２．０Ｃａ１．７Ｍｇ０．３Ｃｕ３．１Ｏｘ超导块材的交流磁化率的测量，获得了样品内晶粒间和晶粒内对外场的不问响应范围．通过与粉状样品实验结果的比较和Ｘ光分析，认为块状样品在温度为１００Ｋ左右出现的抗磁台阶是样品内晶粒间超导弱连接的一种抗磁效应．对弱连接区有效钉扎力Ｆｐ和临界电流密度Ｊｃ与外场Ｈ的关系进行了讨论．     

高T_cBi－Pb－Sr－Cu－Ca－O系氧化物超导材料的Meissner效应和磁屏蔽效应

对高ＴｃＢｉ－Ｐｂ－ｓｒ－Ｃｕ－Ｃａ－Ｏ系氧化物超导材料的多晶块状、多晶粉末状和单晶等三种样品的Ｍｅｉｓｓｎｅｒ效应和磁屏蔽效应进行了仔细测量和分析．块状样品具有较强的磁屏蔽能力，在ＺＦＣ（Ｚｅｒｏ－ＦｉｅｌｄＣｏｏｌｅｄ）和ＦＣ（ＦｉｅｉｄＣｏｏｌｅｄ）两种过程中，超导体的体积比之差最大约１０％左右（μ０Ｈ≈２００Ｘ１０－４Ｔ）；粉末样品和单晶样品的磁屏蔽能力很小（７７Ｋ）．     

熔盐反应法生长Bi－Pb－Sr－Ca－Cu－O系超导单晶

利用熔盐反应法生长了Ｂｉ－Ｐｂ－Ｓｒ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ系超导单晶．这种方法容易生长高纯的Ｂｉ２Ｓｒ２ＣｕＯｘ和Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕＯｘ单晶，也已生长了２２１２和２２２３相交生的片状单晶，其中（Ｂｉ，Ｐｂ２Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ相的体积分数约５０％．利用电子衍射图样，ＸＲＤ，ＥＤＡＸ和磁化率的测量对晶体结构、组分和超导电性进行了研究．