电铸镍Wolter I型光学系统制造技术发展综述

摘要： 为满足未来脉冲星导航和空间天文观测任务对X射线望远镜的载荷需求，Wolter I光学系统的研制正逐渐成为新的研究热点，电铸镍方案是当前国内外X射线光学系统镜筒制造的主要技术方案.文章对电铸镍X射线光学系统制造工艺、国内外研制现状、未来应用需求进行了介绍和整理，梳理了电铸镍X射线光学系统研制遇到的关键技术和难点，提出了后续研究发展建议，以促进中国在 X射线脉冲星自主导航、空间探测领域的快速发展.     

推进我国企业债券利率市场化的措施

企业债券利率市场化是我国利率市场化改革的重要组成部分。目前,我国已经基本具备了企业债券利率市场化的条件,宏观经济环境稳定,微观经济主体日趋理性,国债和金融债券发行利率市场化也为下一步实现企业债券发行利率市场化提供了宝贵的经验。鉴于此,可以根据企业债券融资发展的不同阶段,采取相应措施加快我国企业债券利率市场化的步伐,主要包括:取消发债企业的所有制限制、培育企业债券流通市场、逐步取消发债规模限制、放宽发行利率的浮动幅度、健全企业债券风险监管制度、规范企业债券信用评级。     

安徽省中小企业技术创新障碍与对策

中小企业对国家和地区的经济发展、社会稳定起着重要的作用.技术创新是企业发展的核心动力.中小企业要获得生存与发展,就必须持续地进行技术创新.安徽省中小企业的技术创新由于基础薄、起步晚,正面临创新主体错位、创新模式不当、信息化水平低、服务体系不完善等重重障碍.文章认为完善融资体系和技术创新服务体系、选择适当的技术创新模式以及加快培育中小企业集群式创新是推动安徽省中小企业技术创新、实现跨越式发展的有效路径.     

虚拟现实系统中立体显示算法的研究

实时生成三维立体图形是虚拟现实(VR)的一项核心技术.文中对基于投影变换的立体显示算法、基于相关性理论的立体显示算法以及基于计算机生成全息的立体显示算法等进行了研究.     

Riemann积分及其性质的非标准刻画

在非标准扩大模型下，利用内序列族定义了Riemann积分，并在此基础上讨论了可积的条件及积分的一些性质。     

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with primary goat embryonic fibroblast showed no difference from traditional feederlayer-based culture method used in mouse and human. The putative primary EG colonies were multilayer clumps ofcompact cel     

冕环中扭转Alfvén波和快波的耦合共振

推广完备正交函数系(OFSE)展开方法,应用它研究冕环中无耗散扭转Alfven波和快波耦合的时变过程.采用这种方法,从数学上描述了总体波模的固有角频率,从理论和数值计算结果两方面分析了Alfven波和快波耦合时冕环中磁力线Alfven波固有角频率.采用这种方法,分析了耦合驱动项和Alfven波共振的关系.计算结果给出了耦合共振出现位置Alfven波和快波的波幅特征,发现如果足点驱动角频率不等于冕环总体波模的固有角频率,在耦合共振位置当扭转Alfven波幅出现δ断面时,快波振幅沿径向梯度很大,有时近似为一个间断,非常有利于快波耗散;如果足点驱动角频率等于总有体波模的固有角频率,Alfvn波振幅出现δ断面时在径向出现丰富的小尺度结构,共振位置近似为一个间断,非常有利于Alfven波耗散.     

计算机帧时间对半实物仿真的影响

半实物仿真试验中,要求计算机帧时间与计算积分步长相一致,但在实际试验中不容易精确地做到。本文分析了这种不一致给半实物仿真试验带来的影响,给出了解决的办法,文章中还给出了一实例来说明。     

Field formation around negatively biased solar arrays in the LEO-plasma

Heavy emission caused by impacting plasma ions results in a fast discharging effect of the initially large surface potentials on the dielectric solar cells. This eventually counteracts the energization process of the plasma ions to the cover glasses and leaves no significant electric fields. Thus, with an existing thermal plasma, electrons are again able to reach dielectric surfaces. Strong localized electric fields of the order of several 10 kV/cm form near the interconnector-cover glass interface.