离子注入提高铜合金耐磨性的初步研究

本文对ZQSn10—2—3铜合金表面状态为镀银和未镀银的两种样品,分别采用N_2~+离子注入及双重(Ag+N_2~+)离子束混合新技术,进行表面改性,提高其耐磨性。并且用背散射装置、离子探针和扫描电镜对离子注入层进行了测试与分析。     

SOI/SIMOX-CMOS器件的研究

研究SOI-SIMOX(Silicon On Insulation-Separation by Implanted Oxygen)材料及SIMOX-CMOS器件.高能大剂量(170keV,1.5×10¹⁸/cm²)氧离子注入到P型(100)单晶Si衬底,再经高温长时间(1300℃,6h)退火,形成SIMOX结构材料.经测试,SIMOX表层单晶硅膜反型为N型,研究表明,这是由于在制备SIMOX的工艺中,残留在SIMOX表层硅膜内的氧离子起施主作用所致,并计算出氧杂质在硅中的施主电离能,其值为0.15eV.采用SIMOX材料研制了MOSFET及CMOS三3输入端与非门电路,并介绍了研制SIMOX-CMOS器件的主要工艺.     

SIMOX样品导电类型反型的研究

氧离子注入Ｐ型（１００）单晶硅形成ＳＩＭＯＸ样品，经俄歇电子能谱、扩展电阻仪测试，形成了ＳＯＩ结构；经霍尔测试仪测试，制备的ＳＩＭＯＸ样品表层硅膜反型为Ｎ型导电类型，ＳＩＭＯＸ样品的反型是硅中的氧施主所致，由近自由电子的类氦模型计算，氧施主电离能力为０．１５ｅＶ，该值与早期文献报道的实验值一致。     

SOI结构材料红外吸收光谱的研究

用ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙ　Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ　Ｏｘｙｇｅｎ，即氧注入隔离）技术制备ＳＯＩ－ＣＭＯＳ用的ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　ＯｎＩｎｓｕ　ｌａｔｏｒ，即绝缘体上长单晶硅膜）样品；对ＳＯＩ样品红外吸收光谱的分析，从而计算了ＳＯＩ结构材料中ＳｉＯ２埋层的厚度；测试样品不同点的红外吸收光谱，可考察样品ＳｉＯ２埋层厚度的不均匀性，据此，并可分析与之相关的ＳＯＩ样品的质量参数．这种分析方法，是一种无损的检测手段，具有实用价值．     

离子注入提高铜合金耐磨性的初步研究

 本文对ZQSn10-2-3锡青铜表面状态为镀银和未镀银的两种样品,分别采用N₂⁺离子注入及（Ag+N₂⁺）离子束混合技术,进行表面改性,提高其耐磨性。并且用背散射装置、离子探针和扫描电镜对离子注入层进行了测试与分析。试验结果表明,离子注入及离子束混合样品,抗磨损能刀明显提高。