超微粒SnO2薄膜器件气敏特性的研究

本文介绍了作者采用半导体IC平面工艺技术,成功地研制出了超微粒SnO_2薄膜器件,并对该器件的氧气敏感特性作了研究,得到了该器件的主要特性参数。对其灵敏度特性曲线的研究表明:该器件不仅对低浓度氧气敏感,而且对高浓度氧气也敏感;并得到了超微粒SnO_2薄膜器件灵敏度特性所遵循的客观规律,即logR_s=0.72logC+0.85。