自动阻抗调配器的校准技术探讨

自动阻抗调配器在微电子行业应用越来越广泛,但是目前国内还没有计量技术机构开展该类仪器的计量校准工作,本文介绍了其机械结构、工作原理,设计了控制模型,组建了校准系统,实现了主要参数矢量重复性、驻波比和插入损耗的校准工作。     

在片校准标准件基底边界条件影响

通过分析国内外校准标准件物理边界条件,研究不同校准基底的物理边界条件对共面波导（CPW）传输线特性和校准准确度的影响。研制了W波段砷化镓衬底的多线TRL在片校准标准件,将在片校准标准件分别放置在金属卡盘、玻璃片、吸波材料三种校准基底上。用三种不同校准基底的校准标准件对试验装置校准后,分别提取了CPW传输线的衰减常数、相对介电常数和特征阻抗,并对商用校准标准件104-783A的短路标准和传输线标准进行了测试,验证了结果的合理性。     

基于量子化、芯片化的先进计量测试技术发展动态

计量是国家质量基础的重要组成部分,产品质量的提升离不开科学、精准的计量。工业发达国家极为重视计量测试技术的发展。通过搜集、整理量子效应计量、芯片级计量等国内外大量文献资料,归纳分析了近年来国外先进计量测试技术发展动态与趋势。以量子技术和基本物理常数为基础建立量子计量基标准,将大幅提高测量准确度和稳定性,结合量子效应的微加工技术实现芯片尺度的测量等,微纳尺度计量技术也在科学研究、精密测量、智能制造等领域得到广泛应用。本文可为我国计量技术发展提供借鉴。     

器件串联电阻对脉冲电流结温测试方法影响研究

半导体器件电学法结温测试过程中,校温过程同测温过程的热分布状态存在差异,导致串联电阻阻值不一致,是影响脉冲电流方法结温测试准确性的重要原因.以功率二极管为研究对象,通过搭建脉冲电流结温测量装置,对器件整体及主要串联电阻温升进行了电学测试,并利用红外测试手段进行了验证.结果显示,键合线同芯片存在显著温度差异,其串联电阻的...     

在片S参数测量系统校准技术研究CSCD

在片S参数测量系统在半导体行业裸芯片测量中得到了广泛的应用,但是国内在片S参数测量系统无法有效溯源的现状影响了高端裸芯片产品的研发进度。为了建立该类系统的校准能力,本文研制了微带形式的在片校准件、在片传递标准件和在片检验件三类标准样片,搭建了高准确度的在片S参数传递标准件定标系统,通过HFSS仿真方法使得在片S参数溯源至几何量基准,最终建立了在片S参数测量系统中传输参数的计量校准能力,为最终完成在片S参数测量系统校准奠定了技术基础。     

测量接收机与矢网测量衰减方法研究

介绍测量接收机与矢量网络分析仪测量衰减的原理,并对不确定度来源进行了分析。分别对低反射系数下,不同衰减量进行不确定度评定,表明衰减量在(10～60) d B范围内,两种标准测量不确定度相当;另外,采用两种测量标准对较大输入反射系数模值、不同相位下的阻抗调配器级联20dB固定衰减器作为被测件进行测试,最大偏差达到±0. 31dB,矢量网络分析仪的测量不确定度(0. 18dB),明显小于接收机测量不确定度(0. 59dB)。     

基于光纤双环网的高精度时频同步技术研究

本文介绍了一种基于光纤双环网的时频同步技术设计方法,针对时频设备协同使用时如何获得高精度同步指标这一问题提出了一种设计思路。以系统时间源使用北斗/GPS/GLONASS,本系统同步精度优于5E-13,频率稳定度优于5E-13@1d;以UTC(BIRMM)输出的TOD+1PPS做系统时间源,本系统同步精度优于4E-13,频率稳定度优于6E-14@1d。本方案提出的方法原理简单,系统可根据使用情况进行裁剪,相比卫星双向等手段成本低廉,适合在时频同步领域推广。     

谐波阻抗调配器校准技术研究

作为负载牵引测量系统中的重要器件,谐波阻抗调配器的应用越来越广泛,但是目前国内有关该类仪器的校准工作尚无报道。本文以谐波阻抗调配器的工作原理为基础,设计了校准方法,并重点分析了矢量重复性的三种定义,提出了最佳校准方法。通过与出厂测试数据对比,验证了校准方法的可行性。     

高时间分辨力瞬态热反射显微热成像装置

瞬态热反射显微热成像能够测量电子器件表面温度分布,兼具高时间分辨力和高空间分辨力,在GaN HEMT等大功率器件热测试中应用日益广泛。研发了瞬态热反射显微热成像装置,利用窄脉冲照明,捕捉特定短时间内被测器件表面的图像,实现瞬态热反射热成像,时间分辨力达到1 μs。以微带电阻作为被测器件开展了瞬态测温实验,激励脉宽10 μs,测试得到了不同时刻微带电阻上温度分布,可以观察到升温和降温过程的细节,温度上升和下降时间在（2~3） μs,有效验证了装置的时间分辨力性能。     

在片功率参数校准方法研究

针对在片功率参数的校准需求,分析如何通过矢量方法修正由于微波探针和功率计引入的失配误差,并推导相关修正公式。同时对在片功率测量矢量修正中涉及的微波探针S参数提取方法做介绍,并将试验提取的S参数与微波探针的出厂数据比较。最后将在片功率参数测量的矢量修正数据分别与标量修正数据和未修正数据比较,结果表明,在40GHz内,运用矢量修正得到的在片功率参数测量结果准确度较未修正结果提高0.4dB,较标量修正结果提高0.1dB。