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提出了一种基于混沌控制调频率的SAR干扰方法,给出了干扰的基本原理和干扰信号模型,仿真研究了干扰的效果,仿真结果表明:利用混沌序列控制线性调频信号的调频率产生干扰信号,能够对SAR实施有效的干扰,而且干扰同时具有欺骗和压制的双重特征,能够有效地改变目标特征,达到掩护重要目标的目的。 相似文献
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基于小波变换的SAR相干斑抑制方法研究 总被引:1,自引:0,他引:1
SAR图像固有的相干斑噪声恶化了其成像质量,如何有效抑制相干斑噪声并保留SAR图像的细节信息是研究的一个热点问题。基于SAR相干斑乘性噪声模型,根据小波阈值处理的原理,分析小波滤波在SAR相干斑抑制中存在的关键问题和硬、软阈值处理中存在的不足,提出一种新的阈值函数,并利用均方误差和峰值信噪比指标对相干斑抑制效果进行评估。实验结果表明,新的阈值函数在有效抑制相干斑噪声的同时还保留大量SAR图像的细节信息,较硬、软阈值函数有更好的滤波效果。 相似文献
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分析了充分统计量在数字信号处理中的应用,简述了充分统计量的理论模型,重点研究了充分统计量在高斯信道中的应用,结合具体的实例对传统意义下的基于贝叶斯准则的估计和基于充分统计量的估计的性能进行了比较分析;分析比较了基于充分统计量的估计与传统的基于线性模型估计的一致性,全文以具体简洁的实例,针对充分统计量理论用于信号数字参数的估计问题提供了参考。 相似文献
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空间高能质子和重离子是导致元器件发生单粒子效应的根本原因,为准确评估元器件在轨遭遇的单粒子效应风险,必须清楚高能质子、重离子与器件材料发生核反应的物理过程及生成的次级重离子LET(Line EnergyTransfer)分布规律。针对典型CMOS工艺器件模拟计算了不同能量质子和氦核粒子在器件灵敏单元内产生的反冲核、平均能量及线性能量转移值,并分析了半导体器件金属布线层中重金属对次级重离子LET分布的影响规律。计算结果表明:高能粒子与器件相互作用后产生大量次级重离子,且高能质子作用后产生的次级粒子的LET值主要分布为0~25MeV·cm2/mg;高能氦核粒子作用后产生的次级粒子的LET值主要分布为0~35 MeV·cm2/mg;有重金属钨(W)存在时能提高次级粒子的LET值,增加了半导体器件发生单粒子效应的概率,该研究结果可为元器件单粒子效应风险分析、航天器抗单粒子效应指标确定提供重要依据。 相似文献
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