一种串并转换器件单粒子效应试验研究

针对型号用新型器件抗辐射能力评估的需要,研制了串并转换器件单粒子效应检测系统,并对卫星型号中准备使用的一款26位串并转换器件进行了单粒子效应评估试验,得到了器件抗单粒子锁定的阈值,并发现该器件在单粒子辐照下会出现连续位输出错误。结合器件版图、结构分析了单粒子效应造成连续位错误的原因,为器件厂家后续设计改进和卫星型号进行系统级抗辐射加固设计提供了依据。     

一种检测和校正存储器双错的低冗余加固方法

为了提高宇航用存储器的抗单粒子翻转能力,本文对传统的单错误修正、双错误探测（Single Error Correction and Double Error Detection, SEC DED）码的构造进行了改进和优化,给出了构建单错校正、双错检测、相邻双错校正（Single Error Correction, Double Error Detection and Double Adjacent Error Correction, SEC DED DAEC）码奇偶校验矩阵的构造规则。通过适当地增加奇偶校验矩阵列向量的权重和、改变奇偶校验矩阵列向量顺序的方式,提出了一种具有新特征结构的SEC DED DAEC码,它可以修正任意相邻两位错误。实验结果表明,提出的SEC DED DAEC码是一种有效的宇航用存储器抗单粒子翻转加固措施,其冗余开销基本与传统的SEC DED码相同,误码率低于国际同类文献的结果。