稀土Dy掺杂In2S3电子结构第一性原理计算研究

磁性离子取代半导体基质阳离子而形成的稀磁半导体材料因兼具磁性和半导体特性而受到广泛关注。硫化铟结构中存在大量空位利于客体离子掺杂,成为理想的主体材料。稀土离子因具有特殊的4f和4f5d能级以及电荷跃迁态结构,成为了合适的掺杂剂。本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对理想In₂S₃体系和稀土元素Dy掺杂体系的能带结构和态密度进行了详细计算和系统分析,为自旋电子器件的发展奠定了理论基础。