二次包封CMOS器件电子辐照实验研究

对CMOS器件54HCT00进行了复合材料的二次包封，研制了试验电路板，在器件加电工作下进行电子辐照试验的动态测试．结果表明，二次封装的器件抗总剂量的能力提高了1—2个数量级，得到了预期的数据和结果．这些工作为商用器件的空间开拓使用提供了很好的途径．     

复合材料对电子辐照屏蔽有效性的蒙特卡罗计算研究

以含铅增韧双马来酰亚胺为基体,以高Z、低Z金属粉末为填料,制备了抗辐射复合材料,采用蒙特卡罗方法对复合材料对电子辐照屏蔽有效性进行了模拟计算,并与金属W、Al进行了比较。结果表明,Al、Ta及复合材料的实验值与采用采用蒙特卡罗粒子输运方法模拟计算的结果符合性较好;W及复合材料的防辐射性能优良,而Al的防辐射性能较差;复合材料可通过添加低Z组分进行性能设计,提高对韧至辐射的防护能力,且可以减重,以期为采用复合材料对集成电路进行封装提供数据。